Infineon BSC190N15NS3GATMA1

MOSFET Transistor, N Channel, 50 A, 150 V, 0.016 ohm, 10 V, 3 V
$ 1.027
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Prezzo e stock

Schede tecniche e documenti

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IHS

Datasheet9 pagine15 anni fa

Farnell

iiiC

Cronologia dell'inventario

Trend di 3 mesi:
-8.51%

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Parti alternative

Price @ 1000
$ 1.027
$ 1.224
$ 1.224
Stock
1,752,314
1,320,620
1,320,620
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Surface Mount
-
-
Case/Package
-
-
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
150 V
150 V
150 V
Continuous Drain Current (ID)
50 A
56 A
56 A
Threshold Voltage
3 V
-
-
Rds On Max
19 mΩ
-
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
125 W
96 W
96 W
Input Capacitance
1.82 nF
1.37 nF
1.37 nF

Supply Chain

Country of OriginMainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-11-12
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)

Parti correlate

onsemiFDMS86200
FAIRCHILD FDMS86200 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 52 A, 150 V, 8-PIN POWER 56
Single N-Channel 150 V 31 mOhm 54 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm
N-Channel 150 V 18 mOhm 104 W TrenchFET Power MosFet - PowerPAK SO-8
MOSFET N-CH 150V 10A 8VQFN / N-Channel 150 V 10A (Ta), 56A (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
InfineonIRF6643TRPBF
Single N-Channel 150 V 34.5 mOhm 39 nC HEXFET® Power Mosfet - DirectFET®
onsemiFDB2552
N-Channel PowerTrench® MOSFET 150V, 37A, 36mΩ

Descrizioni

Descrizioni di Infineon BSC190N15NS3GATMA1 fornite dai suoi distributori.

MOSFET Transistor, N Channel, 50 A, 150 V, 0.016 ohm, 10 V, 3 V
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 50 A, 19 mOhm, TDSON, 8 Pins, Surface Mount
OPTIMOS 3 POWER-TRANSISTOR Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 150V, 0.019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
The 150 V OptiMOS™ achieves a reduction in RDS(on) of 40% and of 45% in figure of merit (FOM) compared to the next best competitor.This drastic improvement opens new possibilities like moving from leaded packages to SMD packages or effectively replacing two old parts with one OptiMOS™ part.
MOSFET, N CH, 150V, 50A, TDSON-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:50A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):0.016ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Pow

Alias del produttore

Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • BSC190N15NS3 G
  • BSC190N15NS3-G
  • BSC190N15NS3G
  • SP000416636