Infineon AUIRFR5505
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Stock
108,571
2,633,359
Authorized Distributors
1
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
DPAK
DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
-55 V
-55 V
Continuous Drain Current (ID)
18 A
18 A
Threshold Voltage
-2 V
-4 V
Rds On Max
110 mΩ
110 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
57 W
57 W
Input Capacitance
650 pF
650 pF
Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-12-06
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
Parti correlate
InfineonIRFR5505TRPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -55V;RDS(ON) 0.11Ohm;ID -18A;D-Pak (TO-252AA);PD 57W
InfineonIRFR5505PBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -55V;RDS(ON) 0.11Ohm;ID -18A;D-Pak (TO-252AA);PD 57W
InfineonIRFR5505TRLPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -55V;RDS(ON) 0.11Ohm;ID -18A;D-Pak (TO-252AA);PD 57W
InfineonIRFR5505GTRPBF
MOSFET, P-CHANNEL, -55V, -18A, 110 MOHM, 21.3 NC QG, D-PAK, HALOGEN-FREE
Descrizioni
Descrizioni di Infineon AUIRFR5505 fornite dai suoi distributori.
Automotive Q101 -55V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak Package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET P-CH 55V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
AUTOMOTIVE GRADE HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 55V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
MOSFET,W DIODE,P CH,55V,18A,DPAK; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-18A; Drain Source Voltage Vds:-55V; On Resistance Rds(on):0.11ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Power Dissipation Pd:57W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:D-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (18-Jun-2012); Voltage Vgs Max:-20V
Benefits: Advanced planar technology; Dynamic dV/dT rating; 175C operating temperature; Fast switching; Fully Avalanche Rated; Repetitive avalanche allowed up to Tjmax; Lead free, RoHS compliant; Automotive qualified
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)18 A
Drain to Source Breakdown Voltage-55 V
Drain to Source Resistance110 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time16 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance650 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation57 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance110 mΩ
Package Quantity3000
Power Dissipation57 W
Rds On Max110 mΩ
Rise Time28 ns
Threshold Voltage-2 V
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height2.39 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità