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Infineon IRFR5505TRPBF

Mosfet, Power; P-ch; Vdss -55V; Rds(on) 0.11 Ohm; Id -18A; D-pak (TO-252AA); Pd 57W
$ 0.489
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Prezzo e stock

Schede tecniche e documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Infineon IRFR5505TRPBF.

element14 APAC

Datasheet11 pagine13 anni fa

IHS

Upverter

Newark

Farnell

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Supply Chain

Country of OriginMainland China, Malaysia, Mexico, Taiwan, USA
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1997-06-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

Parti correlate

InfineonIRFR5505PBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -55V;RDS(ON) 0.11Ohm;ID -18A;D-Pak (TO-252AA);PD 57W
InfineonAUIRFR5505
Automotive Q101 -55V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak Package, DPAK-3, RoHS
MOSFET, P-CHANNEL, -55V, -18A, 110 MOHM, 21.3 NC QG, D-PAK, HALOGEN-FREE
MOSFET, P-CHANNEL, -55V, -20A, 105 MOHM, 31 NC QG, LOGIC LEVEL, D-PAK
PWR MOS ULTRAFET 55V/15A/0.090OHMS N-CHANNEL TO-252AA
15 A 55 V 0.09 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-252AA

Descrizioni

Descrizioni di Infineon IRFR5505TRPBF fornite dai suoi distributori.

MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -55V;RDS(ON) 0.11Ohm;ID -18A;D-Pak (TO-252AA);PD 57W
Single P-Channel 55 V 0.11 Ohm 32 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252-3
-55V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
P CHANNEL MOSFET, -55V, 18A, D-PAK; TRAN; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-18A;
Power MOSFET, P Channel, 55 V, 18 A, 0.11 ohm, TO-252AA, Surface Mount
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 55V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current, Id:-18A; On Resistance, Rds(on):110mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Package/Case:D-Pak; Power Dissipation, Pd:57W ;RoHS Compliant: Yes
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
Transistor Polarity = P-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 18 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 55 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 110 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 16 / Rise Time ns = 28 / Turn-OFF Delay Time ns = 20 / Turn-ON Delay Time ns = 12 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = TO-252 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 57

Alias del produttore

Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • IRFR5505TRPBF.
  • SP001573294