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Infineon AUIRF3805

Automotive Q101 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB Package, TO220-3, RoHS
$ 1.47
Obsolete
Scheda dati
Pagina del produttore

Prezzo e stock

Schede tecniche e documenti

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IHS

Datasheet13 pagine8 anni fa
Datasheet15 pagine15 anni fa

Infineon SCT

Farnell

Cronologia dell'inventario

Trend di 3 mesi:
+0.00%

Parti alternative

Questo componente
Parti alternative
Price @ 1000
$ 1.47
$ 1.98
Stock
318,516
749,740
Authorized Distributors
2
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-220AB
TO-220-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
55 V
Continuous Drain Current (ID)
160 A
75 A
Threshold Voltage
2 V
4 V
Rds On Max
3.3 mΩ
3.3 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
300 W
130 W
Input Capacitance
7.96 nF
7.96 nF

Supply Chain

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2010-07-20
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)

Parti correlate

InfineonAUIRF2804
Automotive Q101 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB Package, TO220-3, RoHS
InfineonAUIRF3305
Automotive Q101 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB Package, TO220-3, RoHS
STMicroelectronicsSTP185N55F3
N-channel 55 V, 3.2 mOhm typ., 120 A STripFET(TM) Power MOSFET in TO-220 package
Single N-Channel 60 V 3.1 mOhm 99 nC 205 W Flange Mount Mosfet - TO-220-3
STMicroelectronicsSTP190N55LF3
N-channel 55 V, 2.9 mOhm typ., 120 A STripFET(TM) Power MOSFET in a TO-220 package
InfineonAUIRL1404Z
Automotive Q101 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB Package, TO220-3, RoHS

Descrizioni

Descrizioni di Infineon AUIRF3805 fornite dai suoi distributori.

Automotive Q101 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB Package, TO220-3, RoHS
Infineon SCT
Single N-Channel 55 V 3.3 mOhm 290 nC Automotive HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 55V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Benefits: Advanced process technology; Ultra-low on-resistance; 175C operating temperature; Fast switching; Repetitive avalanche allowed up to Tjmax; Lead free, RoHS compliant; Automotive qualified
MOSFET,N CH,55V,160A,TO220AB; Continuous Drain Current Id:210A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):0.0026ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:300W; Transistor Case Style:TO-2220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Power Dissipation Pd:300W; Voltage Vgs Max:20V

Alias del produttore

Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • IRFAUIRF3805
  • SP001515808