STMicroelectronics STP190N55LF3
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Parti correlate
STMicroelectronicsSTP185N55F3
N-channel 55 V, 3.2 mOhm typ., 120 A STripFET(TM) Power MOSFET in TO-220 package
InfineonIPA029N06NXKSA1
OptiMOS Series N-Channel 60 V 84 A (Tc) 38 W (Tc) MOSFET - PG-TO220-FP
onsemiFDP030N06B-F102
Single N-Channel 60 V 3.1 mOhm 99 nC 205 W Flange Mount Mosfet - TO-220-3
InfineonIPP100N06S2L05AKSA2
55V, N-Ch, 4.7 mΩ max, Automotive MOSFET, TO-220, OptiMOS™, PG-TO220-3, RoHS
InfineonIPA032N06N3GXKSA1
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 84 A, 2.6 Milliohms, TO-220, 3 Pins, Through Hole
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STP190N55LF3 fornite dai suoi distributori.
N-channel 55 V, 2.9 mOhm typ., 120 A STripFET(TM) Power MOSFET in a TO-220 package
Trans MOSFET N-CH 55V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 55V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
312W(Tc) 18V 2.5V@ 250µA 80nC@ 5 V 1individualNChannel 55V 3.7mΩ@ 30A,10V 120A 6.2nF@25V TO-220 Through hole mounting 10.4mm*4.6mm*9.15mm
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -0.11%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)120 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance4.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time40 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)18 V
Input Capacitance6.2 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation312 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation312 W
Rds On Max3.7 mΩ
Resistance3.7 Ω
Rise Time40 ns
Turn-Off Delay Time160 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant