STMicroelectronics STP185N55F3
$ 2.581
Obsolete
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Tendenza a 3 mesi: Restocked
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-02-06
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2022-10-01
LTD Date2023-04-01
Parti correlate
STMicroelectronicsSTP190N55LF3
N-channel 55 V, 2.9 mOhm typ., 120 A STripFET(TM) Power MOSFET in a TO-220 package
InfineonIPA029N06NXKSA1
MOSFET N-CH 60V 84A TO220-FP N-Channel 60 V 84A (Tc) 38W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
onsemiFDP030N06B-F102
Single N-Channel 60 V 3.1 mOhm 99 nC 205 W Flange Mount Mosfet - TO-220-3
InfineonIPA032N06N3GXKSA1
MOSFET N-CH 60V 84A TO220-3-31 N-Channel 60 V 84A (Tc) 41W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-31
InfineonIPP120N06S402AKSA1
MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3 N-Channel 60 V 120A (Tc) 188W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
NXP SemiconductorsBUK753R5-60E,127
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STP185N55F3 fornite dai suoi distributori.
N-channel 55 V, 3.2 mOhm typ., 120 A STripFET(TM) Power MOSFET in TO-220 package
Trans MOSFET N-CH 55V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Single N-Channel 55 V 3.8 mOhm 100 nC 330 W Silicon Flange Mount Mosfet TO-220-3
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 55V, 0.0038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: Restocked
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)120 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance3.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time50 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance6.8 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation330 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation315 W
Rds On Max3.8 mΩ
Rise Time150 ns
Turn-Off Delay Time110 ns
Turn-On Delay Time25 ns
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant