Diodes Inc. ZXT10N50DE6TA
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-09-25
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Parti correlate
onsemiCPH6223-TL-E
Bipolar Transistor, (-)50V, (-)3A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single CPH6. ONSSPCDDENY1E7M;
Diodes Inc.ZXTD09N50DE6TA
Bipolar Array, Dual Npn, 50V, 1A, Sot-26 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. ZXTD09N50DE6TA
Diodes Inc.ZXT13N50DE6TA
ZXT13N50DE6 Series NPN 4 A 50 V SMT Silicon Low Saturation Transistor - SOT-23-6
PanasonicDMG204B10R
SC,COMPOSITE TRANSISTOR / PNP + NPN DUAL, LOW VCE(SAT), VCEO:-50V/20V, IC:-100/500MA
PanasonicDMC264000R
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
Descrizioni
Descrizioni di Diodes Inc. ZXT10N50DE6TA fornite dai suoi distributori.
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 6 Pin
ZXT10N50DE6 Series NPN 50 V 3 A 1.1 W Silicon Switching Transistor - SOT-23-6
Trans GP BJT NPN 50V 3A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R
Trans, Npn, 50V, 3A, 150Deg C, 1.7W Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. ZXT10N50DE6TA
300mV@ 100mA,3A NPN 1.7W 5V 100nA 50V 50V 3A SOT-23-6 1.45mm
Alias del produttore
Diodes Inc. ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Diodes Inc. può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT-23-6
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight14.996898 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage225 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Continuous Collector Current3 A
Current Rating3 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency165 MHz
Gain Bandwidth Product165 MHz
hFE Min100
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current3 A
Max Frequency165 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.1 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape
PolarityNPN
Power Dissipation1.7 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency165 MHz
Voltage Rating (DC)50 V
Dimensions
Height1.3 mm
Length3.1 mm
Width1.8 mm
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità