onsemi FMB3946
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Production
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Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -2.58%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
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 EE Concierge | SimboloImpronta | ||
 SnapEDA | Impronta | Scarica | |
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Supply Chain
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Parti correlate
PanasonicDMC264000R
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
PanasonicDMC2640F0R
NPN 50 V 100 mA 300 mW Surface Mount Silicon Epitaxial Planar Transistor-SC-74
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FMB3946 fornite dai suoi distributori.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon
Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A 700mW 6-Pin TSOT-23 T/R
NPN/PNP 40 V 200 mA 700 mW SMT General Purpose Amplifier - SSOT-6
250mV@ 1mA,10mA NPN,PNP 700mW 5V 50nA 40V 40V 200mA SOT-23 3mm*1.7mm*1mm
NPN & PNP General Purpose Amplifier
Bipolar Transistor; Transistor Polarity:NPN & PNP; Power Dissipation, Pd:0.7W; DC Current Gain Min (hfe):30; Package/Case:SuperSOT-6; C-E Breakdown Voltage:40V; DC Collector Current:200A; Leaded Process Compatible:Yes ;RoHS Compliant: Yes
This complementary device is designed for use as a general-purpose amplifier and switch, The useful dynamic range extends to 100 mA as a switch and 100 MHz as an amplifier. Sourced from Process 23 and 66. See FFB3904 (NPN) and FFB3906 (PNP) for characteristics.
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -2.58%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT-23-6
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight36 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)40 V
Collector Emitter Breakdown Voltage40 V
Collector Emitter Saturation Voltage250 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)40 V
Current Rating200 mA
Element ConfigurationDual
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency200 MHz
Gain Bandwidth Product200 MHz
hFE Min30
Max Breakdown Voltage40 V
Max Collector Current200 mA
Max Frequency200 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation700 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PolarityNPN, PNP
Power Dissipation700 mW
Schedule B8541290080
Transition Frequency200 MHz
Dimensions
Height1.1 mm
Length3 mm
Width1.7 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità