Diodes Inc. MJD32C-13
$ 0.25
Production
Prezzo e stock
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Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +87.54%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
1 parte disponibile
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Diodes Inc. MJD32C-13.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | Impronta | Scarica |
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Questo componente
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Price @ 1000
$ 0.25
$ 0.282
$ 0.282
Stock
408,002
4,018,221
4,018,221
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Surface Mount
-
-
Case/Package
TO-252-3
DPAK
DPAK
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
100 V
-
-
Max Collector Current
3 A
3 A
3 A
Transition Frequency
3 MHz
3 MHz
3 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
1.2 V
1.2 V
1.2 V
hFE Min
10
10
10
Power Dissipation
-
1.56 W
1.56 W
Parti correlate
onsemi2SB1202T-TL-E
Bipolar Transistor, -50V, -2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FA. ONSSPCDDENY1E7M;
ROHM2SB1184TLQ
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Descrizioni
Descrizioni di Diodes Inc. MJD32C-13 fornite dai suoi distributori.
MJD32C Series 100 V 3 A 15 Watt PNP Surface Mount Transistor - TO-252-3
100V 15W 10@3A,4V 3A PNP TO-252 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin
Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Bipolar Transistors - BJT 100V 3A PNP SMT
1.2V@ 375mA,3A PNP 15W 6V 1¦ÌA 100V 100V 3A TO-252-3 6.8mm*6.2mm*2.4mm
Alias del produttore
Diodes Inc. ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Diodes Inc. può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +87.54%
Modelli CAD
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Parti alternative
1 parte disponibile
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)100 V
Collector Emitter Breakdown Voltage100 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.2 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Gain Bandwidth Product3 MHz
hFE Min10
Max Breakdown Voltage100 V
Max Collector Current3 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation15 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Schedule B8541290080
Transition Frequency3 MHz
TypeGeneral Purpose
Dimensions
Height2.4 mm
Length6.8 mm
Width6.2 mm
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Diodes Inc. MJD32C-13.
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità