Diodes Inc. 2DB1182Q-13
$ 0.183
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | 2DB1182Q-13 | 935 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | 2DB1182Q-13 | 2500 | 2500 | Tape & Reel | ||||||||
| DigiKey | 2DB1182Q-13DICT-ND | 6633 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | 2DB1182Q-13 | 0 | 1 | 19h | ||||||||
| Avnet | 2DB1182Q-13 | 0 | 2500 | 8h |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -5.76%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Diodes Inc. 2DB1182Q-13.
Modelli CAD
Scarica il simbolo Diodes Inc. 2DB1182Q-13, l'impronta e i modelli STEP 3D dai nostri partner di fiducia.
| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
 SnapEDA | Impronta | Scarica | |
 Ultra Librarian | SimboloImpronta | Scarica |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-01-19
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Parti correlate
onsemi2SB1202T-TL-E
Bipolar Transistor, -50V, -2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FA. ONSSPCDDENY1E7M;
Descrizioni
Descrizioni di Diodes Inc. 2DB1182Q-13 fornite dai suoi distributori.
32V 10W 120@500mA,3V 2A PNP TO-252 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin
2DB11 Series PNP 1.2 W 32 V 2 A Surface Mount Power Transistor - TO-252-3
Trans GP BJT PNP 32V 2A 1200mW Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
TRANS PNP 32V 2A TO252 / 32V PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR IN TO252
Trans, Pnp, 32V, 2A, 150Deg C, 15W Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. 2DB1182Q-13
Alias del produttore
Diodes Inc. ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Diodes Inc. può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -5.76%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-252-3
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight3.949996 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)40 V
Collector Emitter Breakdown Voltage32 V
Collector Emitter Saturation Voltage-800 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)32 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency110 MHz
Gain Bandwidth Product110 MHz
hFE Min120
Max Breakdown Voltage32 V
Max Collector Current2 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation10 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation10 W
Transition Frequency110 MHz
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Diodes Inc. 2DB1182Q-13.
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità