onsemi MJD32CT4G
$ 0.221
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -51.92%
Modelli CAD
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Parti alternative
1 parte disponibile
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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 EE Concierge | SimboloImpronta | ||
 SnapEDA | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
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Parti alternative
Questo componente
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Price @ 1000
$ 0.221
$ 0.446
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Stock
4,497,203
399,759
399,759
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
-
-
-
Case/Package
DPAK
DPAK
DPAK
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
-
-
-
Max Collector Current
3 A
3 A
3 A
Transition Frequency
3 MHz
3 MHz
3 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
1.2 V
1.2 V
1.2 V
hFE Min
10
10
10
Power Dissipation
1.56 W
1.56 W
1.56 W
Supply Chain
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Parti correlate
onsemiNJVMJD32CT4G
TRANS PNP 100V 3A DPAK / Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 3 A 3MHz 1.56 W Surface Mount DPAK
Descrizioni
Descrizioni di onsemi MJD32CT4G fornite dai suoi distributori.
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 3 A 3MHz 1.56 W Surface Mount DPAK
COMPLEMENTARY POWER TRANSISTOR Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
Bipolar Transistors (BJT); MJD32CT4G; ON SEMICONDUCTOR; PNP; 3; 100 V; 3 A
3.0 A, 100 V PNP Bipolar Power Transistor
100V 1.56W 10@3A,4V 3A PNP TO-252 Bipolar Transistors - BJT ROHS
MJD Series 100 V 3 A PNP Complementary Power Transistor - TO-252-3
Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W PNP
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans Bjt Single, Pnp, 100V, 3A; |Onsemi MJD32CT4G.
onsemi PNPTransistor, DPAK (TO-252)encapsulation, SMD mount, Maximum DC collector current-3 A, maximum collector-emission voltage-100 V
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -100V, TO-252-4; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -100V; Transition Frequency ft: 3MHz; Power Dissipation Pd: 15W; DC Collector Current: -3A; DC Current Gain hFE: 10hFE; Tra
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight4.535924 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)100 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.2 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Current Rating-3 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency3 MHz
Gain Bandwidth Product3 MHz
hFE Min10
Max Breakdown Voltage100 V
Max Collector Current3 A
Max Frequency3 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation15 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityPNP
Power Dissipation1.56 W
Schedule B8541290080
TerminationSMD/SMT
Transition Frequency3 MHz
Voltage Rating (DC)-100 V
Dimensions
Height2.38 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità