Vishay TP0610K-T1-E3
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Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-23
SOT-23
Drain to Source Voltage (Vdss)
-60 V
-60 V
Continuous Drain Current (ID)
185 mA
185 mA
Threshold Voltage
-3 V
-2 V
Rds On Max
6 Ω
190 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
350 mW
350 mW
Input Capacitance
23 pF
155 pF
Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginIsrael
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-01-21
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2025-08-31
LTD Date2025-12-31
Pièces détachées
Vishay2N7002E-T1-GE3
2N7002E Series N-Channel 60 V 3 Ohm 0.35 W Surface Mount Mosfet - SOT-23-3
Vishay2N7002K-T1-E3
MOSFET, POWER, N-CH, VDSS 60V, RDS(ON) 2 OHMS, ID 300MA, TO-236 (SOT-23),PD 0.35W
Vishay2N7002-T1-E3
VISHAY - 2N7002-T1-E3 - MOSFET Transistor, N Channel, 115 mA, 60 V, 7.5 ohm, 10 V, 2.1 V
VishaySI2365EDS-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 5.9 A, 0.0265 ohm, SOT-23, Surface Mount
Descriptions
Descriptions de Vishay TP0610K-T1-E3 fournies par ses distributeurs.
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 185 mA, 6 Ohm, SOT-23 (TO-236), 3 Pins, Surface Mount
MOSFET, P-CH, VDSS -60V, RDS(ON) 10 OHMS, ID -185MA, TO-236 (SOT-23),PD 350MW,-55DEGC
Transistor MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin TO-236 T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.185A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236
P Channel Mosfet, Full Reel; Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:60V; Continuous Drain Current Id:185Ma; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:3V; Product Range:- Rohs Compliant: No |Vishay TP0610K-T1-E3.
Alias du fabricant
Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-23
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.437803 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)185 mA
Drain to Source Breakdown Voltage-60 V
Drain to Source Resistance6 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)-60 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance23 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation350 mW
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-3 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation350 mW
Rds On Max6 Ω
Resistance10 Ω
Schedule B8541210080
Threshold Voltage-3 V
Turn-Off Delay Time35 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Dimensions
Height1.12 mm
Length3.04 mm
Width1.4 mm
Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité