Vishay 2N7002-T1-E3
$ 0.468
Obsolete
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Arrow Electronics | 2N7002-T1-E3 | 16 | 1 | |||||||||
| TTI Asia | 2N7002-T1-E3 | Contact | 3d | |||||||||
| TTI Europe | 2N7002-T1-E3 | 0 | 3K | Tape & Reel | 3d | |||||||
| Farnell | 2N7002-T1-E3 | 0 | 5 | Cut Tape | 9h | |||||||
| element14 APAC | 2N7002-T1-E3 | 0 | 5 | Cut Tape | 22h |
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Modèles CAO
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1 composant disponible
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| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
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Pièces de rechange
Ce composant
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Price @ 1000
$ 0.468
$ 0.06
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Stock
577,539
168,693,169
168,693,169
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Surface Mount
-
-
Case/Package
SOT-23
SOT-23-3
SOT-23-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
60 V
60 V
Continuous Drain Current (ID)
115 mA
115 mA
115 mA
Threshold Voltage
2.1 V
1 V
1 V
Rds On Max
7.5 Ω
7.5 Ω
7.5 Ω
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
200 mW
225 mW
225 mW
Input Capacitance
50 pF
50 pF
50 pF
Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginIsrael
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-02-22
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2024-12-21
LTD Date2025-06-21
Pièces détachées
VishayTP0610K-T1-E3
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 185 mA, 6 Ohm, SOT-23 (TO-236), 3 Pins, Surface Mount
Vishay2N7002K-T1-E3
MOSFET, POWER, N-CH, VDSS 60V, RDS(ON) 2 OHMS, ID 300MA, TO-236 (SOT-23),PD 0.35W
Vishay2N7002E-T1-GE3
2N7002E Series N-Channel 60 V 3 Ohm 0.35 W Surface Mount Mosfet - SOT-23-3
Descriptions
Descriptions de Vishay 2N7002-T1-E3 fournies par ses distributeurs.
VISHAY - 2N7002-T1-E3 - MOSFET Transistor, N Channel, 115 mA, 60 V, 7.5 ohm, 10 V, 2.1 V
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 115 mA, 7.5 Ohm, SOT-23, 3 Pins, Surface Mount
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R / MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOS FET Small Signal Field-Effect Transistor, 0.115A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236
N Channel Mosfet, 60V, 115Ma To-236, Full Reel; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:60V; Continuous Drain Current Id:115Ma; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Power Dissipation:200Mw Rohs Compliant: No |Vishay 2N7002-T1-E3.
MOSFET,N CH,60V,0.115A,SOT23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:115mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):7.5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.1V; Power Dissipation Pd:200mW; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:115mA; Current Temperature:25°C; External Depth:2.5mm; External Length / Height:1.12mm; External Width:3.05mm; Full Power Rating Temperature:25°C; Gfs Min:80mA/V; No. of Transistors:1; Package / Case:SOT-23; Power Dissipation Pd:200mW; Power Dissipation Pd:200mW; Pulse Current Idm:800mA; SMD Marking:72; Tape Width:8mm; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:60V; Voltage Vgs Max:2.1V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Alias du fabricant
Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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1 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-23
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.437803 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)115 mA
Current15 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance7.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance50 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 mW
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2.1 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation200 mW
Rds On Max7.5 Ω
Resistance7.5 Ω
Schedule B8541210080
Threshold Voltage2.1 V
Turn-Off Delay Time11 ns
Turn-On Delay Time7 ns
Voltage60 V
Dimensions
Height1.12 mm
Length3.04 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité