Vishay SUD15N15-95-E3
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Descriptions
Descriptions de Vishay SUD15N15-95-E3 fournies par ses distributeurs.
Single N-Channel 150 V 0.095 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-252
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 150V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
MOSFET, N-CH, 150V, 15A, TO-252; Transistor Polarity:N Channel; Current Id Max:15A; Drain Source Voltage Vds:150V; On State Resistance:77mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Voltage Vgs Max:20V; Power Dissipation:62W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3
Alias du fabricant
Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Historique des stocks
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-252
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.437803 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)15 A
Drain to Source Breakdown Voltage150 V
Drain to Source Resistance95 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time30 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance900 pF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation62 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2.7 W
Rds On Max95 mΩ
Resistance95 mΩ
Rise Time35 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time17 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Dimensions
Height2.52 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité