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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2000-01-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2022-01-31
LTD Date2023-01-31
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTD20NF06LT4
Trans MOSFET N-CH 60V 24A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
STMicroelectronicsSTD12NF06T4
N-Channel 60V - 0.08Ohm - 12A - DPAK StripFET(TM) II POWER MOSFET
Descriptions
Descriptions de onsemi FDD5612 fournies par ses distributeurs.
N-Channel PowerTrench® MOSFET, 60V, 18A, 55mΩ
N-Channel 60 V 55 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - TO-252-3
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 60V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
TRANSISTOR, MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:18A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):55mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.4V; Power Dissipation Pd:3.8W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:18A; Package / Case:TO-252; Power Dissipation Pd:3.8W; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:60V; Voltage Vgs Max:2.4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. These MOSFETs feature faster switching and lower gate charge than other MOSFETs with comparable RDS(ON) specifications. The result is a MOSFET that is easy and safer to drive (even at very high frequencies), and DC/DC power supply designs with higher overall efficiency.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-252
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)18 A
Current Rating18 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance55 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Dual Supply Voltage60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance660 pF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation36 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2.4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Power Dissipation1.6 W
Rds On Max55 mΩ
Resistance64 MΩ
Rise Time4 ns
Schedule B8541290080
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage2.4 V
Turn-Off Delay Time24 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height2.517 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité