Vishay SIS434DN-T1-GE3
$ 0.49
NRND
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -65.63%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Fiches techniques et documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Vishay SIS434DN-T1-GE3.
Modèles CAO
Téléchargez les symboles Vishay SIS434DN-T1-GE3, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.
| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
 EE Concierge | SymboleEmpreinte | ||
 Ultra Librarian | SymboleEmpreinte | Télécharger |
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.
Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-09-25
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
InfineonAUIRFR3504Z
Automotive Q101 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak Package
Diodes Inc.DMN3010LK3-13
Mosfet, N-Ch, 30V, 43A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN3010LK3-13
Descriptions
Descriptions de Vishay SIS434DN-T1-GE3 fournies par ses distributeurs.
Single N-Channel 40 V 0.0076 Ohm 52 W SMT Power Mosfet - PowerPAK-1212-8
MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8 / Trans MOSFET N-CH 40V 17.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8 | Siliconix / Vishay SIS434DN-T1-GE3
Power Field-Effect Transistor, 17.6A I(D), 40V, 0.0076ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8
3.8W(Ta),52W(Tc) 20V 2.2V@ 250¦ÌA 40nC@ 10 V 1N 40V 7.6m¦¸@ 16.2A,10V 35A 1.53nF@20V 1212 3.05mm*3.05mm*1.07mm
FET Input Operational Amplifier
MOSFET,N CH,40V,35A,POWERPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:35A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):6.3mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.2V; Power Dissipation Pd:3.8W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PowerPAK 1212; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:17.6A; Power Dissipation Pd:3.8W; Voltage Vgs Max:20V
Alias du fabricant
Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -65.63%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-252-3
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)17.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance7.6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.53 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation52 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.8 W
Rds On Max7.6 mΩ
Resistance7.6 mΩ
Rise Time25 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2.2 V
Turn-Off Delay Time25 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height1.17 mm
Fiches techniques et documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Vishay SIS434DN-T1-GE3.
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité