onsemi FDMS7670AS
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-09-16
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2021-10-08
LTD Date2022-04-08
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
Pièces détachées
InfineonIPD050N03LGATMA1
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 50 A, 0.0042 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Descriptions
Descriptions de onsemi FDMS7670AS fournies par ses distributeurs.
Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin Power 56 T/R
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 30V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA
MOSFET, N CH, 30V, 42A, POWER56; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:42A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0024ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.6V; Power Dissipation Pd:65W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:Power 56; No. of Pins:8; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012)
The FDMS7670AS has been designed to minimize losses in power conversion application. Advancements in both silicon and package technologies have been combined to offer the lowest rDS(on) while maintaining excellent switching performance. This device has the added benefit of an efficient monolithic Schottky body diode.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight68.1 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)22 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.225 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation65 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.6 V
Number of Elements1
Power Dissipation65 W
Rds On Max3 mΩ
Resistance3 MΩ
Rise Time6 ns
Threshold Voltage1.6 V
Turn-Off Delay Time35 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Dimensions
Height1.05 mm
Length5 mm
Width6 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité