Vishay SIRA14DP-T1-GE3
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-07-08
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
VishaySIRA12DP-T1-GE3
Single N-Channel 30 V 4.3 mOhm TrenchFET Gen IV Power Mosfet - PowerPAK SOIC-8
VishaySIS472DN-T1-GE3
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.0089ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
InfineonIRLR2703PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 0.045Ohm;ID 23A;D-Pak (TO-252AA);PD 45W
Descriptions
Descriptions de Vishay SIRA14DP-T1-GE3 fournies par ses distributeurs.
VISHAY SIRA14DP-T1-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 20 A, 30 V, 0.00425 ohm, 10 V, 1.1 V
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 0.0051ohm; 31.2W; -55+150 deg.C; SMD; SO8
SEMICONCUCTOR, MOSFET;TRENCHFET;N-CHANNEL;30V;20A;5.1MOHM @ 10V;POWERPAK SO-8
Trans MOSFET N-CH 30V 19.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 30V, 0.0051ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Vishay NMOS TrenchFET, Vds=30 V, 58 A, PowerPAK SO-8, , 8
N-Channel 30V 58A Surface Mount PowerPAK SO-8
Alias du fabricant
Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Spécifications techniques
Physical
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight506.605978 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)58 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance5.1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time16 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.45 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation31.2 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.6 W
Rds On Max5.1 mΩ
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1.1 V
Turn-Off Delay Time18 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height1.0668 mm
Length5.969 mm
Width5.0038 mm
Conformité
Classification environnementale
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnknown
RoHSCompliant
Déclarations de conformité