Infineon IRLHS6342TR2PBF
$ 0.32
Obsolete
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRLHS6342TR2PBF | 0 | 125 | Bulk | 10h | |||||||
| Avnet | IRLHS6342TR2PBF | 0 | 2K | 23h | ||||||||
| Microchip USA | IRLHS6342TR2PBF | 231 | 300 | Tray | 15h | |||||||
| Worldway Electronics | IRLHS6342TR2PBF | 13 052 | 7 | 21h | ||||||||
| Antdic Electronics | IRLHS6342TR2PBF. | 15 765 | >1wk |
Modèles CAO
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Pièces de rechange
0 composant disponible
Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-02-25
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2014-05-12
Pièces détachées
InfineonIRFHS8242TRPBF
25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 2mm X 2mm PQFN package, PG-TSDSON-6, RoHS
VishaySIR472DP-T1-GE3
SiR472DP Series N-Channel 30 V 0.012 Ohms SMT Power Mosfet - PowerPAK-SO-8
InfineonIRFHS8342TRPBF
INFINEON IRFHS8342TRPBF MOSFET Transistor, N Channel, 8.8 A, 30 V, 0.013 ohm, 10 V, 1.8 VNew
Descriptions
Descriptions de Infineon IRLHS6342TR2PBF fournies par ses distributeurs.
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 2mm X 2mm PQFN package
Trans MOSFET N-CH 30V 8.7A 6-Pin PQFN EP T/R
MOSFET N-Channel 30V 8.7A HEXFET PQFN6EP
MOSFET,W DIODE,N CH,30V,8.7A,PQFN22; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:8.7A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.012ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.1V; Power Dissipation Pd:2.1W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PQFN; No. of Pins:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Voltage Vgs Max:12V
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)8.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance19.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time13 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance1.019 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.1 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.1 V
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation2.1 W
Rds On Max15.5 mΩ
Recovery Time17 ns
Resistance15.5 MΩ
Rise Time13 ns
Threshold Voltage1.1 V
Turn-Off Delay Time19 ns
Turn-On Delay Time4.9 ns
Dimensions
Height950 µm
Length2.1 mm
Width2.1 mm
Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité