Vishay SIR846DP-T1-GE3
$ 1.24
NRND
Prix et stock
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Arrow Electronics | SIR846DP-T1-GE3 | 3 000 | 3K | |||||||||
| Verical | SIR846DP-T1-GE3 | 3 000 | 3K | |||||||||
| DigiKey | SIR846DP-T1-GE3CT-ND | 1 445 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | SIR846DP-T1-GE3 | 0 | 3K | 18h | ||||||||
| TTI | SIR846DP-T1-GE3 | 0 | 3K | Tape & Reel | 7h |
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-09-25
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
VishaySIR870DP-T1-GE3
MOSFET, N CH, DI, 100V, 60A, PPK SO8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous
VishaySI7174DP-T1-GE3
Si7174DP Series N-Channel 75 V 0.007 Ohms SMT Power Mosfet - PowerPAK SO-8
Descriptions
Descriptions de Vishay SIR846DP-T1-GE3 fournies par ses distributeurs.
Single N-Channel 100V 0.0078 Ohm Medium Voltage ThunderFET® Mosfet POWERPAK-SO-8
MOSFET Devices; VISHAY; SIR846DP-T1-GE3; 100 V; 60 A; 20 V; 36 ns
Trans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.0078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET 100V 60A 104W 7.8mohm @ 10V
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
6.25W(Ta),104W(Tc) 20V 3.5V@ 250¦ÌA 72nC@ 10 V 1N 100V 7.8m¦¸@ 20A,10V 60A 2.87nF@50V 4.9mm*5.89mm*1.04mm
Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:60A; On Resistance Rds(On):0.0064Ohm; Transistor Mounting:surface Mount; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.5V Rohs Compliant: Yes
MOSFET, N CH, 100V, 60A, PPAK SO8; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):6.4mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:104W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:60A; Power Dissipation Pd:104W; Voltage Vgs Max:20V
Alias du fabricant
Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight506.605978 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)20 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance7.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.87 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation104 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs3.5 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Rds On Max7.8 mΩ
Resistance7.8 mΩ
Rise Time18 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1.5 V
Turn-Off Delay Time36 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité