Vishay SIJ470DP-T1-GE3
$ 0.748
NRND
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Arrow Electronics | SIJ470DP-T1-GE3 | 3 000 | 3K | |||||||||
| Verical | SIJ470DP-T1-GE3 | 3 000 | 3K | |||||||||
| DigiKey | SIJ470DP-T1-GE3CT-ND | 438 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TTI | SIJ470DP-T1-GE3 | 6 000 | 3K | Tape & Reel | 7h | |||||||
| TME | SIJ470DP-T1-GE3 | 0 | 3K | 3h |
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-08-06
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
VishaySIR846DP-T1-GE3
Single N-Channel 100V 0.0078 Ohm Medium Voltage ThunderFET® Mosfet POWERPAK-SO-8
VishaySI4190ADY-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 100V, 18.4A, SOIC-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Dra
VishaySI7852ADP-T1-GE3
Single N-Channel 80 V 0.017 Ohm SMT TrenchFET Power Mosfet - PowerPAK SO-8
Descriptions
Descriptions de Vishay SIJ470DP-T1-GE3 fournies par ses distributeurs.
N-Channel 100 V 9.1 mOhm 56.8 W SMT ThunderFET Mosfet - PowerPAK SO-8
Power Field-Effect Transistor, 58.8A I(D), 100V, 0.0091ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
SINGLE N-CHANNEL 100V POWERPAK SO-8L MOSFET 9.1MOHM@ 10V
Trans MOSFET N-CH 100V 58.8A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
MOSFET N-CH 100V 58.8A PPAK SO-8
189W 20V 4.5V@ 760uA 67nC@ 10V 1N 600V 75m¦¸@ 15.1A,10V 33A 2.721nF@ 400V SOP 4.9mm*4.37mm*1.07mm
Alias du fabricant
Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins5
Number of Terminals4
Weight506.605978 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)58.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance9.1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.05 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation56.8 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation5 W
Rds On Max9.1 mΩ
Rise Time8 ns
Turn-Off Delay Time22 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
Radiation HardeningNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité