Vishay SI7174DP-T1-GE3

Si7174DP Series N-Channel 75 V 0.007 Ohms SMT Power Mosfet - PowerPAK SO-8
Obsolete
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DistributorSKUMinPkg
NewarkSI7174DP-T1-GE303KTape & Reel
TTISI7174DP-T1-GE303KTape & Reel
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TTI AsiaSI7174DP-T1-GE3Contact
21h
AvnetSI7174DP-T1-GE303K
4d
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6h

Fiches techniques et documents

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Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-04-17
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2025-02-13
LTD Date2025-08-13

Pièces détachées

VishaySI7852ADP-T1-GE3
Single N-Channel 80 V 0.017 Ohm SMT TrenchFET Power Mosfet - PowerPAK SO-8
Détails
VishaySIR826DP-T1-GE3
SiR826DP Series 80 V 4.8 mOhm 60 nC SMT N-Channel MOSFET - POWERPAK-SO-8
Détails
VishaySI7148DP-T1-GE3
Si7148DP Series 75 V 0.011 Ohm 28 A SMT N-Channel Mosfet - PowerPAK SO-8
Détails
onsemiFDS3572
N-Channel 80 V 16 mOhm 2.5 W Surface Mount PowerTrench MosFet - SOIC-8
Détails
onsemiFDS5672
In a Pack of 5, N-Channel MOSFET, 12 A, 60 V, 8-Pin SOIC ON Semiconductor FDS5672
Détails
onsemiFDS86540
MOSFET, N-CH, 60V, 8SOIC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Curren
Détails

Descriptions

Descriptions de Vishay SI7174DP-T1-GE3 fournies par ses distributeurs.

Si7174DP Series N-Channel 75 V 0.007 Ohms SMT Power Mosfet - PowerPAK SO-8
Future Electronics
Trans MOSFET N-CH 75V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Verical
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 75V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Semicontronic
6.25W(Ta),104W(Tc) 20V 4.5V@ 250¦ÌA 72nC@ 10 V 1N 75V 7m¦¸@ 10A,10V 60A 2.77nF@40V SO 4.9mm*5.89mm*1.04mm
UnikeyIC
N-CH 75V 60A 7mOhm PPSO-8 RoHSconf
Rutronik
MOSFET, N, SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:60A; Drain Source Voltage Vds:75V; On Resistance Rds(on):7mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs Typ:4.5V; Power Dissipation Pd:6.25W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:PowerPAK SO; No. of Pins:8; Current Id Max:60A; Junction Temperature Tj Max:150°C; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Package / Case:PowerPAK; Power Dissipation Pd:104W; Power Dissipation Pd:6.25W; Rise Time:11ns; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:75V; Voltage Vgs Max:4.5V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4.5V; Voltage Vgs th Min:2.5V
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Future Electronics

Alias du fabricant

Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :

  • VIS
  • VISH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Vishay Thin Film
  • Vishay Intertechnology
  • VISHA
  • Vishay Semiconductors
  • VISAHY
  • Vishay Intertech
  • VISHY
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
  • Vishay Intertechnologies
  • Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Vishay Semiconductor Opto Division
  • VSHAY
  • VISH/IR
  • VSHY
  • VSH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
  • VISHAY ELECTRONIC
  • VISHAY AMERICAS INC
  • Vishay Semiconductor Diodes Division
  • VISHAY OPTO
  • Vishay Techno
  • VISHAY FOIL RESISTORS
  • Vishay Semiconductor
  • Vishay Sfernice
  • Vishay Siliconix
  • Vishay Dale
  • Vishay BCcomponents
  • Vishay Angstrohm
  • Vishay Draloric

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • SI7174DP-T1/GE3
  • SI7174DP-T1GE3
  • SI7174DPT1GE3