Vishay SIR826DP-T1-GE3
$ 1.457
NRND
Prix et stock
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Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Arrow Electronics | SIR826DP-T1-GE3 | 2 165 | 1 | |||||||||
| DigiKey | SIR826DP-T1-GE3CT-ND | 5 689 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TTI | SIR826DP-T1-GE3. | 1 890 | 10 | Cut Tape | 19h | |||||||
| TME | SIR826DP-T1-GE3 | 0 | 3K | 6h | ||||||||
| Newark | SIR826DP-T1-GE3 | 0 | 3K | Tape & Reel |
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| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-07-28
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
VishaySIR870DP-T1-GE3
MOSFET, N CH, DI, 100V, 60A, PPK SO8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous
VishaySIR846DP-T1-GE3
Single N-Channel 100V 0.0078 Ohm Medium Voltage ThunderFET® Mosfet POWERPAK-SO-8
Descriptions
Descriptions de Vishay SIR826DP-T1-GE3 fournies par ses distributeurs.
SiR826DP Series 80 V 4.8 mOhm 60 nC SMT N-Channel MOSFET - POWERPAK-SO-8
Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PowerPAK SO T/R
MOSFET 80V 4.8mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET
Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 80V, 0.0052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
6.25W(Ta),104W(Tc) 20V 2.8V@ 250¦ÌA 90nC@ 10 V 1N 80V 4.8m¦¸@ 20A,10V 60A 2.9nF@40V 6.15mm*5.15mm*1.04mm
Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:80V; Continuous Drain Current Id:60A; On Resistance Rds(On):0.004Ohm; Transistor Mounting:surface Mount; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.2V Rohs Compliant: Yes
MOSFET, N CH, DIO, 80V, 60A, PPK SO8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:60A; Drain Source Voltage Vds:80V; On Resistance Rds(on):0.004ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:104W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; MSL:MSL 1 - Unlimited; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C
Alias du fabricant
Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight506.605978 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)60 A
Drain to Source Resistance5.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.9 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation104 W
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation6.25 W
Rds On Max4.8 mΩ
Rise Time14 ns
Threshold Voltage1.2 V
Turn-Off Delay Time36 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité