Vishay SIR496DP-T1-GE3
$ 2.16
Obsolete
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Pièces détachées
Descriptions
Descriptions de Vishay SIR496DP-T1-GE3 fournies par ses distributeurs.
SIR496DP-T1-GE3 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 26 A, 20 V, 8-PIN POWERPAK SO
Trans MOSFET N-CH 20V 25.7A 8-Pin PowerPAK SO T/R / MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8
N CHANNEL MOSFET, 20V, 35A, SOIC, FULL REEL
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 20V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET 20V 35A 27.7W 4.2mohm @ 10V
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Continuous Drain Current, Id:35000mA; Drain Source Voltage, Vds:20V; On Resistance, Rds(on):0.0058ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Threshold Voltage, Vgs Typ:2.5V; Power Dissipation, Pd:5W ;RoHS Compliant: Yes
Alias du fabricant
Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Modèles CAO
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Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight506.605978 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)35 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance4.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time17 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.57 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation27.7 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation5 W
Rds On Max4.5 mΩ
Rise Time13 ns
Threshold Voltage2.5 V
Turn-Off Delay Time29 ns
Turn-On Delay Time21 ns
Dimensions
Height1.04 mm
Length4.9 mm
Width5.89 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité