Infineon IRF3717PBF
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-02-20
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2018-12-15
LTD Date2019-06-15
Pièces détachées
InfineonIRF7457PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 20V;RDS(ON) 5.5Milliohms;ID 15A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
InfineonIRF8252PBF
2.5W(Ta) 20V 2.35V@ 100¦ÌA 53nC@ 4.5 V 1N 25V 2.7m¦¸@ 25A,10V 25A 5.305nF@13V SOIC-8
Descriptions
Descriptions de Infineon IRF3717PBF fournies par ses distributeurs.
Single N-Channel 20 V 4.4 mOhm 22 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package, SO8, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 20V 20A 8-Pin SOIC
MOSFET, 20V, 20A, 4.4 MOHM, 22 NC QG, SO-8
N-CH 20V 20A 4,4mOhm SO8 RoHSconf
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 20V, 0.0044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:20V; Continuous Drain Current, Id:20A; On Resistance, Rds(on):4.4mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:SO-8 ;RoHS Compliant: Yes
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Modèles CAO
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)20 A
Current Rating20 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance4.4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.89 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance4.4 mΩ
Package Quantity3800
PackagingBulk
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max4.4 mΩ
Recovery Time32 ns
Resistance4.4 MΩ
Rise Time14 ns
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time15 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Voltage Rating (DC)20 V
Dimensions
Height1.75 mm
Length4.9784 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité