Infineon IRF8915TRPBF

Dual N-Channel 20 V 18.3 mOhm 4.9 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
$ 0.514
Obsolete
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
Rochester Electronics
2
IRF8915TRPBF31 431
23h
Arrow ElectronicsIRF8915TRPBF641
RS (Formerly Allied Electronics)IRF8915TRPBF020Bulk
12h
Microchip USA
2
IRF8915TRPBF2 9683500
17h
Win Source
2
WS-IRF891550 000135
1d

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Infineon IRF8915TRPBF.

IHS

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Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-03-31
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2008-03-13
LTD Date2008-09-13

Pièces détachées

InfineonIRF8910TRPBF
Dual N-Channel 20 V 13.4 mOhm 7.4 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Détails
InfineonIRF8910PBF
Dual N-Channel 20 V 2 W 7.4 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
Détails
onsemiFDS6898A
Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench® MOSFET 20V, 9.4A, 14mΩ
Détails
onsemiFDS6898AZ
Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench® MOSFET 20V, 9.4A, 14mΩ
Détails
onsemiFDS6576
P-Channel PowerTrench® MOSFET, 2.5V Specified, -20V, -11A, 14mΩ
Détails
VishaySI9926CDY-T1-GE3
Transistor: 2xN-MOSFET; unipolar; 20V; 8A; 0.018ohm; 2W; -55+150 deg.C; SMD; SO8
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IRF8915TRPBF fournies par ses distributeurs.

Dual N-Channel 20 V 18.3 mOhm 4.9 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Future Electronics
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 20V 8.9A 8-Pin SOIC T/R
Avnet
Power Field-Effect Transistor, 8.9A I(D), 20V, 0.0183ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
IHS
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:Dual N Channel; Drain Source Voltage, Vds:20V; Continuous Drain Current, Id:8.9A; On Resistance, Rds(on):18.3mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:8-SOIC ;RoHS Compliant: Yes
Newark
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Infineon
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Dual / Continuous Drain Current (Id) A = 8.9 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 20 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 18.3 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 3.6 / Rise Time ns = 12 / Turn-OFF Delay Time ns = 7.1 / Turn-ON Delay Time ns = 6 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = SO-8 / Pins = 8 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Power Dissipation (Pd) W = 2
Distrelec

Images

Infineon
RS
Newark
element14 APAC
RS (Formerly Allied Electronics)
International Rectifier
Newark
Rochester Electronics
iiiC

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • 8915TRPBF
  • IRF8915
  • IRF8915TRPBF.
  • SP001554494