Vishay SI7922DN-T1-GE3

Dual N-Channel 100 V 0.195 Ohm Surface Mount Power MosFet - PowerPAK-1212-8
$ 0.871
Production
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
VericalSI7922DN-T1-GE31 06515
Arrow ElectronicsSI7922DN-T1-GE31 0651
Future ElectronicsSI7922DN-T1-GE36 0003KTape & Reel
DigiKey
3
SI7922DN-T1-GE3CT-ND29 4641Cut Tape
TTISI7922DN-T1-GE3108 0003KTape & Reel
2d

Fiches techniques et documents

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IHS

Datasheet12 pagesIl y a 11 ans

Future Electronics

iiiC

Arrow Electronics

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Modèles CAO

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Pièces de rechange

Ce composant
Pièces de rechange
VishaySI7922DN-T1-GE3
VishaySI7922DN-T1-E3
Price @ 1000
$ 0.871
$ 0.89
Stock
718,042
198,934
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
-
Module
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
100 V
Continuous Drain Current (ID)
1.8 A
1.8 A
Threshold Voltage
-
3.5 V
Rds On Max
195 mΩ
195 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
1.3 W
2.6 W
Input Capacitance
-
-

Chaîne d'approvisionnement

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Pièces détachées

VishaySI2324DS-T1-GE3
Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R / MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-23
Détails
InfineonIRFHM792TRPBF
Dual N-Channel 100 V 195 mOhm 6.3 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 3.3 x 3.3 mm
Détails
VishaySI3430DV-T1-E3
Single N-Channel 100 V 0.17 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TSOP-6
Détails
VishaySI3430DV-T1-GE3
Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-Pin TSOP T/R
Détails
onsemiFDC3535
P-Channel 80 V 2.1 A 183 mO Surface Mount PowerTrench Mosfet - SUPERSOT-6
Détails
onsemiIRFM120ATF
Power MOSFET, N-Channel, A-FET, 100 V, 2.3 A, 0.2 Ω, SOT-223
Détails

Descriptions

Descriptions de Vishay SI7922DN-T1-GE3 fournies par ses distributeurs.

Dual N-Channel 100 V 0.195 Ohm Surface Mount Power MosFet - PowerPAK-1212-8
Future Electronics
Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R / MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8
Win Source
1.3W 20V 3.5V@ 250¦ÌA 8nC@ 10V 2N 100V 195m¦¸@ 2.5A,10V 1.8A PPAK-1212-8 3.05mm*3.05mm*1.04mm
UnikeyIC
100V 1.8A 1.3W 195m´Î@10V2.5A 3.5V@250Ã×A 2 N-Channel PowerPAK 1212-8 MOSFETs ROHS
Dasenic
Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 100V, 0.195ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
IHS
Transistor; Continuous Drain Current, Id:2500mA; Drain Source Voltage, Vds:100V; On Resistance, Rds(on):0.230ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Threshold Voltage, Vgs Typ:3.5V; Power Dissipation, Pd:1.3W ;RoHS Compliant: Yes
Newark

Images

Newark
iiiC
Future Electronics

Alias du fabricant

Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :

  • VIS
  • VISH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Vishay Thin Film
  • Vishay Intertechnology
  • VISHA
  • Vishay Semiconductors
  • VISAHY
  • Vishay Intertech
  • VISHY
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
  • Vishay Intertechnologies
  • Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Vishay Semiconductor Opto Division
  • VSHAY
  • VISH/IR
  • VSHY
  • VSH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
  • VISHAY ELECTRONIC
  • VISHAY AMERICAS INC
  • Vishay Semiconductor Diodes Division
  • VISHAY OPTO
  • Vishay Techno
  • VISHAY FOIL RESISTORS
  • Vishay Semiconductor
  • Vishay Sfernice
  • Vishay Siliconix
  • Vishay Dale
  • Vishay BCcomponents
  • Vishay Angstrohm
  • Vishay Draloric