Vishay SI2324DS-T1-GE3
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Pièces détachées
Diodes Inc.DMP3160L-7
Trans MOSFET P-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R / MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3
Diodes Inc.ZXMN10A07FTA
ZXMN10A07F Series 100 V 0.7 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET -SOT-23
VishaySI2307CDS-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 3.5 A, 88 MilliOhms, SOT-23 (TO-236), 3 Pins, Surface Mount
InfineonBSS123NH6433XTMA1
Mosfet, N-Ch, 100V, 0.19A, Sot-23 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BSS123NH6433XTMA1
Descriptions
Descriptions de Vishay SI2324DS-T1-GE3 fournies par ses distributeurs.
Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R / MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-23
Single N-Channel 100 V 0.278 Ohm 5.8 nC 1.25 W Silicon SMT Mosfet - SOT-23
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 2.3 A, 0.195 ohm, SOT-23, Surface Mount
N-Channel 100-V (D-S) Mosfet Rohs Compliant: Yes |Vishay SI2324DS-T1-GE3
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB
Alias du fabricant
Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Historique des stocks
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Modèles CAO
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-23-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance234 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Fall Time6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance190 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation1.25 W
Rds On Max234 mΩ
Rise Time10 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time17 ns
Turn-On Delay Time30 ns
Dimensions
Height1.12 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité