Vishay SI7818DN-T1-E3
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Pièces de rechange
Ce composant
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Stock
196,070
216,681
Authorized Distributors
5
3
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
-
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
150 V
150 V
Continuous Drain Current (ID)
2.2 A
2.2 A
Threshold Voltage
4 V
-
Rds On Max
135 mΩ
135 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
1.5 W
1.5 W
Input Capacitance
-
-
Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-01-24
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 months ago)
LTB Date2024-12-21
LTD Date2025-06-21
Pièces détachées
Descriptions
Descriptions de Vishay SI7818DN-T1-E3 fournies par ses distributeurs.
Single N-Channel 150 V 0.135 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK 1212-8
SI7818DN-T1-E3 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 2.2 A, 150 V, 8-PIN POWERPAK 1212
N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 150V, 0.135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
N Channel Mosfet, 150V, 3.4A, Powerpak, Full Reel; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:150V; Continuous Drain Current Id:3.4A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:20V; Power Dissipation:1.5W Rohs Compliant: No |Vishay SI7818DN-T1-E3.
MOSFET, N CH, 150V, 2.2A, POWERPAK 1212; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2.2A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):0.112ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:1.5W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:PowerPAK 1212; No. of Pins:8; MSL:-
Alias du fabricant
Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Spécifications techniques
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.2 A
Drain to Source Resistance135 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3.8 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation1.5 W
Rds On Max135 mΩ
Resistance135 mΩ
Rise Time10 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time25 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height1.12 mm
Length3.05 mm
Width3.05 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité