Vishay SI7115DN-T1-GE3
$ 0.983
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -53.48%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
1 composant disponible
Fiches techniques et documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Vishay SI7115DN-T1-GE3.
Modèles CAO
Téléchargez les symboles Vishay SI7115DN-T1-GE3, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.
| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
 EE Concierge | SymboleEmpreinte |
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.
Pièces de rechange
Ce composant
Pièces de rechange
Price @ 1000
$ 0.983
$ 0.99
Stock
423,139
40,011
Authorized Distributors
6
3
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
-
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
-150 V
150 V
Continuous Drain Current (ID)
2.3 A
2.3 A
Threshold Voltage
-2 V
-
Rds On Max
295 mΩ
295 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
3.7 W
3.7 W
Input Capacitance
1.19 nF
1.19 nF
Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginIsrael
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-05-20
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
VishaySI4455DY-T1-GE3
5.9W(Tc) 20V 4V@ 250¦ÌA 42nC@ 10 V 1P 150V 295m¦¸@ 4A,10V 2A 1.19nF@50V SOIC-8 1.55mm
VishaySI4455DY-T1-E3
Si4455DY Series 150 V 8.9 A 0.295 Ohm Surface Mount P-Channel MOSFET - SOIC-8
InfineonIRF6216TRPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -150V;RDS(ON) 0.24Ohm;ID -2.2A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
Descriptions
Descriptions de Vishay SI7115DN-T1-GE3 fournies par ses distributeurs.
Single P-Channel 150 V 295 mOhm 42 nC 52 W SMT Mosfet - PowerPAK ChipFET
Trans MOSFET P-CH 150V 8.9A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R / MOSFET P-CH 150V 8.9A 1212-8
MOSFET, P CH, -150V, -8.9A, POWERPAK 121
Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 150V, 0.295ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET SI7115DN POWPAK8 P 0.295R -150V
3.7W(Ta),52W(Tc) 20V 4V@ 250¦ÌA 42nC@ 10 V 1P 150V 295m¦¸@ 4A,10V 8.9A 1.19nF@50V SOP-8 3.05mm*3.05mm*1.07mm
P-CH 150V 8,9A 295mOhm PPAK1218
MOSFET, P CH, -150V, -8.9A, POWERPAK; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-8.9A; Drain Source Voltage Vds:-150V; On Resistance Rds(on):0.245ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Power Dissipation Pd:52W; Operating Temperature Min:-50°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:PowerPAK 1212; No. of Pins:8; MSL:-
Alias du fabricant
Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -53.48%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
1 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage-150 V
Drain to Source Resistance295 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-150 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time35 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.19 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation52 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-50 °C
Nominal Vgs-2 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.7 W
Rds On Max295 mΩ
Resistance295 mΩ
Rise Time28 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-2 V
Turn-Off Delay Time52 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Dimensions
Height1.12 mm
Length3.05 mm
Width3.05 mm
Fiches techniques et documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Vishay SI7115DN-T1-GE3.
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité