Vishay SI7716ADN-T1-GE3
$ 0.517
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Arrow Electronics | SI7716ADN-T1-GE3 | 2 969 | 1 | |||||||||
| Verical | SI7716ADN-T1-GE3 | 2 969 | 3 | |||||||||
| Future Electronics | SI7716ADN-T1-GE3 | 27 000 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| DigiKey | SI7716ADN-T1-GE3CT-ND | 7 458 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TTI | SI7716ADN-T1-GE3 | 0 | 3K | Tape & Reel | 23h |
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| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-07-29
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
VishaySIR472DP-T1-GE3
SiR472DP Series N-Channel 30 V 0.012 Ohms SMT Power Mosfet - PowerPAK-SO-8
InfineonIRFHS8342TRPBF
Single N-Channel 30 V 16 mOhm 4.2 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 2 x 2 mm
Descriptions
Descriptions de Vishay SI7716ADN-T1-GE3 fournies par ses distributeurs.
Single N-Channel 30 V 0.0135 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK-1212-8
N-Channel 30 V (D-S) MOSFET Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET,N CH,30V,16A,POWERPAK8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:16A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):10.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:3.5W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PowerPAK 1212; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:12A; Power Dissipation Pd:3.5W; Voltage Vgs Max:20V
Mosfet, N Channel, 30V, 16A, Powerpak 1212-8; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; Continuous Drain Current Id:16A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2.5V Rohs Compliant: No |Vishay SI7716ADN-T1-GE3.
Alias du fabricant
Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Spécifications techniques
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)12 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance13.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance846 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation27.7 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.5 W
Rds On Max13.5 mΩ
Resistance13.5 mΩ
Rise Time12 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2.5 V
Turn-Off Delay Time13 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height1.17 mm
Length3.05 mm
Width3.05 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité