Vishay SI7658ADP-T1-GE3
$ 1.608
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | SI7658ADP-T1-GE3CT-ND | 5 439 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TTI | SI7658ADP-T1-GE3 | 0 | 3K | Tape & Reel | 21h | |||||||
| Newark | SI7658ADP-T1-GE3 | 0 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | SI7658ADP-T1-GE3 | 0 | 3K | 4d | ||||||||
| Future Electronics | SI7658ADP-T1-GE3 | 0 | 3K | Tape & Reel |
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Pièces de rechange
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-07-29
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
VishaySI7192DP-T1-GE3
SI7192DP - N-Channel 30 V 1.9 mO 104 W TrenchFET GEN III Mosfet - PPAKSO-8
VishaySIRA04DP-T1-GE3
MOSFET, 30V, 40A, PPAKSO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Curr
InfineonIRF7832TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 3.1Milliohms;ID 20A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
Descriptions
Descriptions de Vishay SI7658ADP-T1-GE3 fournies par ses distributeurs.
Single N-Channel 30 V 0.0022 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK-SO-8
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8 / Trans MOSFET N-CH 30V 36A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 30V, 0.0028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, N CH, 30V, 60A, POWERPAK SO; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:60A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0018ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:5.4W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:PowerPAK SO; No. of Pins:8; MSL:-
Alias du fabricant
Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOIC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight506.605978 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)36 A
Drain to Source Resistance2.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time30 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.59 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation83 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation5.4 W
Rds On Max2.2 mΩ
Resistance2.2 mΩ
Rise Time18 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2.5 V
Turn-Off Delay Time60 ns
Turn-On Delay Time45 ns
Dimensions
Height1.04 mm
Length4.9 mm
Width5.89 mm
Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité