Vishay SI7192DP-T1-GE3

SI7192DP - N-Channel 30 V 1.9 mO 104 W TrenchFET GEN III Mosfet - PPAKSO-8
$ 1.65
NRND
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DistributorSKUMinPkg
VericalSI7192DP-T1-GE32 8004
Arrow ElectronicsSI7192DP-T1-GE32 8001
DigiKey
2
SI7192DP-T1-GE3CT-ND2 1251Cut Tape
Newark
2
SI7192DP-T1-GE303KCut Tape
Future ElectronicsSI7192DP-T1-GE303KTape & Reel

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Vishay SI7192DP-T1-GE3.

Newark

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Farnell

iiiC

Arrow Electronics

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Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-04-10
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)

Pièces détachées

VishaySI7658ADP-T1-GE3
Single N-Channel 30 V 0.0022 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK-SO-8
Détails
VishaySIRA00DP-T1-GE3
MOSFET, 30V, 60A, PPAKSO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Curr
Détails
InfineonIRF8302MTRPBF
Mosfet, N-Ch, 30V, 190A, 150Deg C, 104W Rohs Compliant: Yes |Infineon IRF8302MTRPBF
Détails
VishaySIRA04DP-T1-GE3
MOSFET, 30V, 40A, PPAKSO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Curr
Détails
InfineonIRF7832TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 3.1Milliohms;ID 20A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
Détails
InfineonIRF9310TRPBF
Single P-Channel 30V 6.8 mOhm 58 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Détails

Descriptions

Descriptions de Vishay SI7192DP-T1-GE3 fournies par ses distributeurs.

SI7192DP - N-Channel 30 V 1.9 mO 104 W TrenchFET GEN III Mosfet - PPAKSO-8
Future Electronics
Trans MOSFET N-CH 30V 42A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Verical
30V 60A 1.9m´Î@10V20A 104W 2.5V@250Ã×A N Channel PowerPAK SO-8 MOSFETs ROHS
Dasenic
Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 30V, 0.00225ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
IHS
6.25W(Ta),104W(Tc) 20V 2.5V@ 250¦ÌA 135nC@ 10 V 1N 30V 1.9m¦¸@ 20A,10V 60A 5.8nF@15V 4.9mm*5.89mm*1.07mm
UnikeyIC
MOSFET, N, PPAK SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:60A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):1.9mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Power Dissipation Pd:6.25W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:60A; Junction Temperature Tj Max:150°C; Package / Case:PowerPAK; Power Dissipation Pd:104W; Power Dissipation Pd:6.25W; Rise Time:10ns; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:1V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:2.5V; Voltage Vgs th Min:1V
element14 APAC

Images

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Newark
Newark
Future Electronics
iiiC

Alias du fabricant

Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :

  • VIS
  • VISH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Vishay Thin Film
  • Vishay Intertechnology
  • VISHA
  • Vishay Semiconductors
  • VISAHY
  • Vishay Intertech
  • VISHY
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
  • Vishay Intertechnologies
  • Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Vishay Semiconductor Opto Division
  • VSHAY
  • VISH/IR
  • VSHY
  • VSH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
  • VISHAY ELECTRONIC
  • VISHAY AMERICAS INC
  • Vishay Semiconductor Diodes Division
  • VISHAY OPTO
  • VISHAY FOIL RESISTORS
  • Vishay Polytech
  • Vishay Semiconductor
  • Vishay Sfernice
  • Vishay Siliconix
  • Vishay Dale
  • Vishay BCcomponents
  • Vishay Angstrohm
  • Vishay Draloric

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • SI7192DPT1GE3