Vishay SIRA04DP-T1-GE3
$ 0.618
NRND
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | SIRA04DP-T1-GE3CT-ND | 529 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TTI | SIRA04DP-T1-GE3 | 9 000 | 3K | Tape & Reel | 8h | |||||||
| TME | SIRA04DP-T1-GE3 | 0 | 1 | 4h | ||||||||
| Newark | SIRA04DP-T1-GE3 | 0 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | SIRA04DP-T1-GE3 | 0 | 3K | 5d |
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -26.19%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Fiches techniques et documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Vishay SIRA04DP-T1-GE3.
Modèles CAO
Téléchargez les symboles Vishay SIRA04DP-T1-GE3, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.
| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
 SnapEDA | 3D | Télécharger |
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.
Pièces détachées
VishaySIRA06DP-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 30V, PPAK-SO8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Cur
VishaySIR166DP-T1-GE3
SiR166DP Series N-Channel 30 V 0.0040 Ohm 48 W SMT Mosfet - PowerPAK® SO-8
Descriptions
Descriptions de Vishay SIRA04DP-T1-GE3 fournies par ses distributeurs.
MOSFET, 30V, 40A, PPAKSO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Curr
Single N-Channel 30 V 2.15 mOhm TrenchFET Gen IV Power Mosfet - PowerPAK SOIC-8
Semiconcuctor; Mosfet; TrenchFET; N-Channel; 30V; 40A; 2.15mohm @ 10V; PowerPAK SO-8
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 40 A, 0.00215 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 30V, 0.00215ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, 30V, 40A, PPAKSO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:40A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0018ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:27.7W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:PowerPAK SO; No. of Pins:8; MSL:MSL 1 - Unlimited; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Voltage Vgs Max:30V
Alias du fabricant
Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -26.19%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOIC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight506.605978 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)40 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance2.15 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time16 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.595 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation27.7 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.1 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation5 W
Rds On Max2.15 mΩ
Resistance2.15 mΩ
Threshold Voltage1.1 V
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time24 ns
Dimensions
Height1.12 mm
Length6.25 mm
Width5.26 mm
Fiches techniques et documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Vishay SIRA04DP-T1-GE3.
Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité