Vishay SI7655ADN-T1-GE3
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Pièces détachées
VishaySI7615ADN-T1-GE3
MOSFET, P-CH, -20V, -35A, POWERPAK-8; Transistor Polarity:P Channel; Continuous
VishaySI7629DN-T1-GE3
Single P-Channel 20 V 4.6 mOhm SMT TrenchFET Power Mosfet - PowerPAK 1212-8
InfineonIRF7425TRPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -20V;RDS(ON) 8.2 Milliohms;ID -15A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-1
InfineonIRLR6225TRPBF
N CH MOSFET, 20V, 100A, 3-DPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain
Descriptions
Descriptions de Vishay SI7655ADN-T1-GE3 fournies par ses distributeurs.
20V 40A 3.6m´Î@10V20A 57W 1.1V@250Ã×A P Channel PowerPAK 1212-8S MOSFETs ROHS
Trans MOSFET P-CH 20V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
Avnet Japan
MOSFET -20V .0036ohm@-10V -40A P-Ch T-FET
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 20V, 0.0036ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
P-CH POWERPAK 1212-8 BWL 20V 3.6MOHM @ 10V
Transistor Polarity:p Channel; Drain Source Voltage Vds:20V; Continuous Drain Current Id:40A; On Resistance Rds(On):0.003Ohm; Transistor Mounting:surface Mount; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:-; No. Of Pins:8Pinsrohs Compliant: Yes
Alias du fabricant
Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)40 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance3.6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-20 V
Fall Time35 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance6.6 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation57 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-50 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation4.8 W
Rds On Max3.6 mΩ
Resistance3 mΩ
Rise Time45 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time110 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Dimensions
Height830 µm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité