Infineon IRLR6225TRPBF

Name: Infineon IRLR6225TRPBF
Brand: Infineon
SKU: IRLR6225TRPBF

N CH MOSFET, 20V, 100A, 3-DPAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain

$ 0.718

Obsolete

Page du fabricant Fiche technique

Prix et stock

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Distributor		SKU		Min	Pkg
DigiKey	2	IRLR6225TRPBFCT-ND	24	1	Cut Tape	1,570	0,994	0,994	0,994	0,994
Arrow Electronics	2	IRLR6225TRPBF	1 864	1		1,111	0,654	0,595	0,443	0,443
Avnet		IRLR6225TRPBF	0	2K							6h
Farnell	2	IRLR6225TRPBF	0	1	Cut Tape	1,249*	0,750*	0,654*	0,475*	0,393*	4h
HQonline		DS0076844	3	1		0,674	0,660	0,650	0,650	0,650	>1w

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Datasheet8 pagesIl y a 15 ans

Newark

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Ce composant

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InfineonIRLR6225TRPBF

InfineonIRLR6225PBF

Price @ 1000

$ 0.718

$ 2.55

Stock

944,392

55,546

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

DPAK

Drain to Source Voltage (Vdss)

20 V

Continuous Drain Current (ID)

42 A

Threshold Voltage

800 mV

Rds On Max

4 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

12 V

Power Dissipation

63 W

Input Capacitance

3.77 nF

Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2010-11-15

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

Pièces détachées

InfineonIRLR6225PBF

Inductor RF Chip Wirewound 2.4nH 0.2nH 100MHz 20Q-Factor 850mA 50mOhm DCR 0402 Paper T/R

Détails

InfineonIRLR3717PBF

IRLR3717PBF N-channel MOSFET Transistor, 120 A, 20 V, 3-Pin DPAK

Détails

InfineonIRLR3717TRPBF

Single N-Channel 20 V 4.2 mOhm 21 nC HEXFET® Power Mosfet - DPAK

Détails

onsemiNTD4854NT4G

Power MOSFET 25 V, 124 A, Single N-Channel

Détails

onsemiNTD110N02R

Tube Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 12.5A Ta 110A Tc 110A 2.88W 21ns

Détails

onsemiNTD110N02RT4

MOSFETs- Power and Small Signal 24V 110A N-Channel No-Cancel/No-Return

Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IRLR6225TRPBF fournies par ses distributeurs.

N CH MOSFET, 20V, 100A, 3-DPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain

Newark

Single N-Channel 20 V 4 mOhm 48 nC HEXFET® Power Mosfet - SOT-23

Future Electronics

20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS

Infineon SCT

HEXFET Power MOSFET Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 20V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA

ComSIT Distribution GmbH

Benefits: RoHS Compliant; Industry-Standard Pinout; Compatible with Existing Surface Mount Techniques; Qualified Industrial; Qualified MSL1; Logic Level

Infineon

N CH MOSFET, 20V, 100A, 3-DPAK; Transist; N CH MOSFET, 20V, 100A, 3-DPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):3.2mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:800mV; No. of Pins:3

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Images

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

Infineon Technologies
INF
INFINEO
INFINE
INFIN
INFINION
INFI
INFENION
SIM
INFIEON
INFINEON TECH
INFINEN
IFX
INFIENON
IR/INFINEON
INFINEON/IR
IFT
INFINEON/SIEMENS
LNFINEON
INFN
Infineon Tech ICs
INFINEON TECHNOLOGIE
NFINEON
INFINEON/Infineon
INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

IRFIRLR6225TRPBF
IRLR6225TRPBF.
SP001573984

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Spécifications techniques

Physical

Case/PackageDPAK

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals2

Technical

Continuous Drain Current (ID)42 A

Drain to Source Breakdown Voltage20 V

Drain to Source Resistance4 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)20 V

Fall Time52 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)12 V

Input Capacitance3.77 nF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation63 W

Min Breakdown Voltage20 V

Min Operating Temperature-55 °C

Nominal Vgs800 mV

Number of Channels1

Number of Elements1

On-State Resistance4 mΩ

Package Quantity2000

PackagingTape & Reel

Power Dissipation63 W

Rds On Max4 mΩ

Resistance4 MΩ

Rise Time37 ns

Schedule B8541290080

Turn-Off Delay Time63 ns

Turn-On Delay Time9.7 ns

Dimensions

Height2.52 mm

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Newark

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Conformité

Classification environnementale

China RoHSNon-Compliant

Lead FreeLead Free

Radiation HardeningNo

REACH SVHCNo

RoHSCompliant

Déclarations de conformité

Conflict Mineral StatementN/AN/A

Reach Statement6 pagesIl y a 12 ans

Rohs Statement1 pageIl y a 12 ans