Vishay SI7615ADN-T1-GE3
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Pièces détachées
VishaySI7629DN-T1-GE3
Single P-Channel 20 V 4.6 mOhm SMT TrenchFET Power Mosfet - PowerPAK 1212-8
VishaySI7655ADN-T1-GE3
20V 40A 3.6m´Î@10V20A 57W 1.1V@250Ã×A P Channel PowerPAK 1212-8S MOSFETs ROHS
VishaySIS415DNT-T1-GE3
SIS415DNT-T1-GE3 P-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 22 A, 20 V, 8-PIN POWERPAK 1212
InfineonIRLR6225TRPBF
N CH MOSFET, 20V, 100A, 3-DPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain
Diodes Inc.DMP2006UFG-7
Mosfet, P-Ch, 20V, 40A, 150Deg C, 41W Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMP2006UFG-7
Descriptions
Descriptions de Vishay SI7615ADN-T1-GE3 fournies par ses distributeurs.
MOSFET, P-CH, -20V, -35A, POWERPAK-8; Transistor Polarity:P Channel; Continuous
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -35A; 0.007ohm; 52W; -55+150 deg.C; SMD; PowerPAK1212-8
SI7615ADN-T1-GE3 P-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 35 A, 20 V, 8-PIN POWERPAK 1212
P-Channel 20 V 4.4 mO 183 nC Surface Mount Power Mosfet - PoserPAK-1212-8
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 35 A, 0.0035 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
MOSFET, P-CH, 20V, PPAK-1212-8; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:35A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):0.0035ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Power Dissipation Pd:52W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:PowerPAK 1212; No. of Pins:8; MSL:MSL 1 - Unlimited; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C
Alias du fabricant
Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Spécifications techniques
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)35 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance4.4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time26 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance5.59 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation52 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingDigi-Reel®
Power Dissipation3.7 W
Rds On Max4.4 mΩ
Resistance4.4 mΩ
Rise Time40 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-400 mV
Turn-Off Delay Time85 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Dimensions
Height1.12 mm
Length3.4 mm
Width3.4 mm
Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité