Vishay SI7430DP-T1-GE3
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Stock
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Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOIC
SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss)
150 V
150 V
Continuous Drain Current (ID)
7.2 A
7.2 A
Threshold Voltage
4.5 V
2.5 V
Rds On Max
45 mΩ
45 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
5.2 W
5.2 W
Input Capacitance
1.735 nF
1.735 nF
Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-09-05
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 5 months ago)
Pièces détachées
VishaySI7738DP-T1-GE3
Trans MOSFET N-CH 150V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R / MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8
VishaySI7846DP-T1-E3
Single N-Channel 150 V 0.05 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK-SO-8
InfineonIRF6216TRPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -150V;RDS(ON) 0.24Ohm;ID -2.2A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
Descriptions
Descriptions de Vishay SI7430DP-T1-GE3 fournies par ses distributeurs.
Single N-Channel 150 V 0.045 Ohm Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK SO-8
MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8 / Trans MOSFET N-CH 150V 7.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:150V; Continuous Drain Current Id:26A; On Resistance Rds(On):0.036Ohm; Transistor Mounting:surface Mount; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4.5V Rohs Compliant: No
MOSFET,N CH,DIODE,150V,26A,SO-8 PPAK; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):0.036ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:5.2W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PowerPAK SO; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:7.2A; Power Dissipation Pd:5.2W; Voltage Vgs Max:20V
Alias du fabricant
Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight506.605978 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.2 A
Drain to Source Breakdown Voltage150 V
Drain to Source Resistance47 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.735 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation64 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation5.2 W
Rds On Max45 mΩ
Resistance45 mΩ
Rise Time12 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4.5 V
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time16 ns
Dimensions
Height1.04 mm
Length4.9 mm
Width5.89 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité