onsemi FDS86240
$ 1.66
Production
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : +8.52%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Fiches techniques et documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour onsemi FDS86240.
Modèles CAO
Téléchargez les symboles onsemi FDS86240, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.
| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
 EE Concierge | SymboleEmpreinte | ||
 SnapEDA | Empreinte | Télécharger |
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.
Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2010-06-28
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
VishaySI7738DP-T1-GE3
Trans MOSFET N-CH 150V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R / MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8
VishaySI7430DP-T1-GE3
Single N-Channel 150 V 0.045 Ohm Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK SO-8
Descriptions
Descriptions de onsemi FDS86240 fournies par ses distributeurs.
N-Channel PowerTrench® MOSFET 150V, 7.5A, 19.8mΩ
FDS86240 Series 150 V 7.5 A 19.8 mOhm N-Ch PowerTrench® MOSFET - SO-8
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor‘s advanced Power Trench® process that has been optimized for rDS(on), switching performance and ruggedness.
MOSFET, N CH, 150V, 7.5A, 8SOIC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:7.5A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):0.0173ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.7V; Power Dissipation Pd:5W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012); Pulse Current Idm:30A
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : +8.52%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight130 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage150 V
Drain to Source Resistance19.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.57 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation5 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max19.8 mΩ
Rise Time10 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2.7 V
Turn-Off Delay Time24 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Dimensions
Height1.75 mm
Length4 mm
Width5 mm
Fiches techniques et documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour onsemi FDS86240.
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité