onsemi FDS2572
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-09-19
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
Descriptions
Descriptions de onsemi FDS2572 fournies par ses distributeurs.
N-Channel UltraFET® Trench MOSFET 150V, 4.9A, 47mΩ
N-Channel 150 V 47 mOhm UltraFET Trench Mosfet SOIC-8
Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 150V, 0.053ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Package/Case:8-SOIC; Leaded Process Compatible:No; Peak Reflow Compatible (260 C):No; Current Rating:4.9A; Mounting Type:Surface Mount; No. of Pins:8 ;RoHS Compliant: No
UltraFET® devices combine characteristics that enable benchmark efficiency in power conversion applications. Optimized for Rds(on), low ESR, low total and Miller gate charge, these devices are ideal for high frequency DC to DC converters.
MOSFET, N, SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4.9A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):47mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:2.5W; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:4.9A; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; No. of Transistors:1; Package / Case:SOIC; Power Dissipation Pd:2.5W; Power Dissipation Pd:2.5W; SMD Marking:FDS2572; Termination Type:SMD; Voltage Vds:150V; Voltage Vds Typ:150V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4V
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOIC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight130 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.9 A
Current Rating4.9 A
Drain to Source Breakdown Voltage150 V
Drain to Source Resistance53 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time22 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.05 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max47 mΩ
Resistance47 mΩ
Rise Time4 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time44 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Voltage Rating (DC)150 V
Dimensions
Height1.75 mm
Length5 mm
Width4 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité