onsemi FDS3572

N-Channel 80 V 16 mOhm 2.5 W Surface Mount PowerTrench MosFet - SOIC-8
$ 0.732
Production
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
Newark
2
FDS35729241Cut Tape
Arrow ElectronicsFDS3572101
VericalFDS3572109
Future ElectronicsFDS357220 0002500Tape & Reel
DigiKey
2
FDS3572CT-ND1 4521Cut Tape

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour onsemi FDS3572.

IHS

Datasheet13 pagesIl y a 2 ans
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Newark

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onsemi

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Pièces de rechange

Ce composant
Pièces de rechange
onsemiFDS3572
onsemiFDS3572_NL
Price @ 1000
$ 0.732
$ 2.565
Stock
355,409
111,636
Authorized Distributors
6
2
Mount
Surface Mount
-
Case/Package
SOIC
SOIC N
Drain to Source Voltage (Vdss)
80 V
80 V
Continuous Drain Current (ID)
8.9 A
8.9 A
Threshold Voltage
4 V
-
Rds On Max
16 mΩ
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
-
Power Dissipation
2.5 W
-
Input Capacitance
1.99 nF
-

Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-02-19
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Pièces détachées

InfineonIRF7493PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 80V;RDS(ON) 11.5 Milliohms;ID 9.3A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-2
Détails
InfineonIRF7854PBF
MOSFET, N Ch., 80V, 10A, 13.4 MOHM, 27 NC QG, SO-8, Pb-Free
Détails
InfineonIRF7488PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 80V;RDS(ON) 24 Milliohms;ID 6.3A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
Détails
onsemiFDS3590
N-Channel PowerTrench® MOSFET, 80V, 6.5A, 39mΩ
Détails
InfineonIRF7495PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 18Milliohms;ID 7.3A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20
Détails
onsemiFDS3672
MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-SOIC / Trans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
Détails

Descriptions

Descriptions de onsemi FDS3572 fournies par ses distributeurs.

N-Channel 80 V 16 mOhm 2.5 W Surface Mount PowerTrench MosFet - SOIC-8
Future Electronics
N-Channel PowerTrench® MOSFET 80V, 8.9A, 16mΩ
onsemi
ON SEMICONDUCTOR - FDS3572 - N CHANNEL MOSFET, 80V, 8.9A, SOIC
Fly-Wing Technology
MOSFET,N CH,80V,8.9A,8SOIC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:8.9A; Drain Source Voltage Vds:80V; On Resistance Rds(on):14mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:2.5W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:8.9A; Power Dissipation Pd:2.5W; Voltage Vgs Max:20V
element14 APAC

Images

element14
Farnell
iiiC
Future Electronics
TME
Rochester Electronics

Alias du fabricant

onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • FDS3572.
  • FDS3572..