Texas Instruments CSD25213W10
$ 0.095
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
Distributeur
SKU
Minimum
Emballage
Prix de gros
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -100%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Modèles CAO
Téléchargez les symboles Texas Instruments CSD25213W10, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.
| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
 EE Concierge | SymboleEmpreinte | ||
 SnapEDA | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
 Ultra Librarian | SymboleEmpreinte | Télécharger |
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.
Chaîne d'approvisionnement
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Pièces détachées
InfineonIRF7504TRPBF
Benefits: RoHS Compliant; Fast Switching; Low Profile (less than 1.1mm); Dual P-Channel MOSFET
Diodes Inc.DMP2104V-7
DMP2104V Series P-Channel 20 V 150 mOhm MosFet Surface Mount - SOT-563-6
Descriptions
Descriptions de Texas Instruments CSD25213W10 fournies par ses distributeurs.
-20-V, P channel NexFET™ power MOSFET, single WLP 1 mm x 1 mm, 47 mOhm, gate ESD protection 4-DSBGA -55 to 150
1W(Ta) 6V 1.1V@ 250¦ÌA 2.9nC@ 4.5 V 1individualPChannel 20V 47m¦¸@ 1A,4.5V 1.6A 478pF@10V DSBGA SMD mount 1mm*1mm*630¦Ìm
P-CHANNEL; Configuration: SINGLE; Surface Mount: YES; Maximum Power Dissipation (Abs): 1 W; No. of Elements: 1; Maximum Drain Current (ID): 1.6 A;
Alias du fabricant
Texas Instruments possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Texas Instruments peut également être connu sous les noms suivants :
- TI
- TEXAS
- TEXAS INST
- TEXAS INSTR
- TEXAS INSTRUMENT
- TEXAS INSTRUMENTS INC
- TEXAS INS
- TEXAS INSTRU
- TEXAS INSTRUMEN
- TI/NS
- TEX
- Texas Instruments (TI)
- TEXASIN
- TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
- TEXINS
- TEXAS INTRUMENTS
- TEAXS
- TEXASI
- TI Texas Instruments
- TEXAS INSTRUM
- TEXAS USD
- TEXAS INSRUMENTS
- TEXAS INSRUMENT
- TEXAS INSTUMENTS
- TI-ROHS
- Texas Instr.
- Texas Instruments Inc.
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -100%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Contact PlatingCopper, Silver, Tin
MountSurface Mount
Number of Pins4
Technical
Continuous Drain Current (ID)-1.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance54 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time970 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)-6 V
Input Capacitance478 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation1 W
Rds On Max47 mΩ
Rise Time520 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time1 µs
Turn-On Delay Time510 ns
Dimensions
Height625 µm
Length0 m
Thickness650 µm
Width0 m