onsemi NTGS3441PT1G
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-02-09
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2011-10-08
LTD Date2012-04-08
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
InfineonBSL214N L6327
MOSFET, N-CH, DUA,L 20V, 1.5A, 6TSOP; Transistor Polarity:Dual N Channel; Contin
InfineonBSL215PL6327
P-CHANNEL MOSFET / Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1.5A 500mW Surface Mount PG-TSOP6-6
Descriptions
Descriptions de onsemi NTGS3441PT1G fournies par ses distributeurs.
Power MOSFET 20V 3.16A 110 mOhm Single P-Channel TSOP6
Trans MOSFET P-CH 20V 2.5A 6-Pin TSOP T/R
MOSFETs- Power and Small Signal PFET 20V 3.1A .1MOH
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Tape & Reel (TR) Surface Mount P-Channel SINGLE WITH BUILT-IN DIODE Mosfet Transistor 1.8A Ta -2.5A 980mW 14ns
510mW(Ta) 12V 1.6V@ 250µA 6nC@ 4.5 V 1individualPChannel 20V 110mΩ@ 3A,4.5V 2.5A 345pF@15V TSOP-6 SMD mount 3mm*1.5mm*940μm
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTSOP
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance110 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-20 V
Fall Time14 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance345 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation510 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation980 mW
Rds On Max110 mΩ
Rise Time14 ns
Turn-Off Delay Time13 ns
Turn-On Delay Time7 ns
Dimensions
Height1.1 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
RoHSCompliant
Déclarations de conformité