Diodes Inc. DMP2104V-7
$ 0.189
Production
Prix et stock
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Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | DMP2104V-7 | 3 000 | 3K | 3d | ||||||||
| Arrow Electronics | DMP2104V-7 | 3 000 | 1328 | |||||||||
| DigiKey | DMP2104V7DICT-ND | 3 006 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMP2104V-7 | 0 | 3K | 1d | ||||||||
| Future Electronics | DMP2104V-7 | 0 | 3K | Tape & Reel |
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-03-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
onsemiSCH1430-TL-W
ON SEMICONDUCTOR SCH1430-TL-W MOSFET Transistor, N Channel, 2 A, 20 V, 0.093 ohm, 4.5 V, 1.3 V
Diodes Inc.DMC2400UV-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT563 / Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.030A/0.7A 6-Pin SOT-563 T/R
VishaySI1077X-T1-GE3
Mosfet Transistor, P Channel, -1.75 A, -20 V, 0.065 Ohm, -4.5 V, -1 V |Vishay SI1077X-T1-GE3
Descriptions
Descriptions de Diodes Inc. DMP2104V-7 fournies par ses distributeurs.
DMP2104V Series P-Channel 20 V 150 mOhm MosFet Surface Mount - SOT-563-6
850mW(Ta) 12V 1V@ 250¦ÌA 1P 20V 150m¦¸@ 950mA,4.5V 860mA 320pF@16V SOT-563 1.6mm*1.2mm*600¦Ìm
Trans MOSFET P-CH 20V 1.9A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
Transistor - FET P-Channel -20V -860mA
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 20V VDS, 12±V VGS
Diodes Inc SCT
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET P-Channel 20V 1.9A SOT563
Mosfet, P Channel, -20V, -860Ma, Sot-563; Transistor Polarity:P Channel; Drain Source Voltage Vds:20V; Continuous Drain Current Id:860Ma; On Resistance Rds(On):0.15Ohm; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage Vgs:4.5Vrohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMP2104V-7
MOSFET P-CHANNEL SOT-563; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -950mA; Drain Source Voltage Vds: -20V; On Resistance Rds(on): 0.15ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5V; Threshold Voltage Vgs: -1V; Power Dissipation Pd: 170mW; Transistor Case Style: SOT-563; No. of Pins: 6Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (15-Jan-2019); Current Id Max: -860mA; Operating Temperature Min: -55°C; Operating Temperature Range: -55°C to +150°C; Termination Type: Surface Mount Device; Transistor Type: Enhancement; Voltage Vds Typ: -20V; Voltage Vgs Max: 12V; Voltage Vgs Rds on Measurement: -4.5V
Alias du fabricant
Diodes Inc. possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Diodes Inc. peut également être connu sous les noms suivants :
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-563
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight3.005049 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)860 mA
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance150 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance320 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation210 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max150 mΩ
Resistance150 mΩ
Schedule B8541210080
Threshold Voltage-1 V
Dimensions
Height600 µm
Length1.6 mm
Width1.2 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité