onsemi FDN327N
$ 0.143
Production
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : +7.29%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Modèles CAO
Téléchargez les symboles onsemi FDN327N, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.
| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
 EE Concierge | SymboleEmpreinte | ||
 SnapEDA | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
 Ultra Librarian | SymboleEmpreinte | Télécharger |
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.
Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date2001-07-06
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descriptions
Descriptions de onsemi FDN327N fournies par ses distributeurs.
N-Channel PowerTrench® MOSFET, 1.8 Vgs Specified, 20V, 2A, 70mΩ
Transistor MOSFET Negative Channel 20 Volt 2A 3-Pin SuperSOT T/R
This 20V N-Channel MOSFET uses Fairchild’s high voltage PowerTrench process. It has been optimized for power management applications.
MOSFET, N-CH, 20V, 2A, 3-SSOT, RL; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 2A; Drain Source Voltage Vds: 20V; On Resistance Rds(on): 0.04ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5V; Threshold Voltage Vgs: 700mV; P
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 2 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 20 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 120 / Gate-Source Voltage V = 8 / Fall Time ns = 4 / Rise Time ns = 13 / Turn-OFF Delay Time ns = 29 / Turn-ON Delay Time ns = 12 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = SOT-23 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 260 / Power Dissipation (Pd) mW = 500
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : +7.29%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-236-3
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight30 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)2 A
Current Rating2 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance70 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time6.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance423 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation460 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs700 mV
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation460 mW
Rds On Max70 mΩ
Resistance70 MΩ
Rise Time6.5 ns
Schedule B8541210080
Threshold Voltage700 mV
Turn-Off Delay Time14 ns
Turn-On Delay Time6 ns
Voltage Rating (DC)20 V
Dimensions
Height1.22 mm
Length2.92 mm
Width1.4 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité