Texas Instruments CSD17308Q3
$ 0.425
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | 296-27210-1-ND | 40 249 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Win Source | WS-CSD17308Q3 | 52 500 | 50 | 9h | ||||||||
| Worldway Electronics | CSD17308Q3 | 18 670 | 7 | Tape & Reel | 8h | |||||||
| Classic Components | CSD17308Q3 | 33 150 | 23h | |||||||||
| GreenTree Electronics | CSD17308Q3 | 76 | 23h |
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 SnapEDA | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
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Stock
1,381,345
137,418
Authorized Distributors
1
4
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
-
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30 V
Continuous Drain Current (ID)
14 A
44 A
Threshold Voltage
1.3 V
1.3 V
Rds On Max
10.3 mΩ
10.3 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
10 V
-
Power Dissipation
2.7 W
2.7 W
Input Capacitance
700 pF
700 pF
Chaîne d'approvisionnement
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 6 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
Ressources d’ingénierie
Voir les kits d'évaluation et les conceptions de référence pour Texas Instruments CSD17308Q3.
Kit d’évaluation
Pièces détachées
VishaySIRA18DP-T1-GE3
SIRA18DP-T1-GE3 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 15.5 A, 30 V, 8-PIN POWERPAK SO
VishaySIZ730DT-T1-GE3
Dual N-Channel 30 V 0.013 Ohm 12/32 nC 3.9/4.6 W Silicon Mosfet POWERPAIR 6x3.7
InfineonIRLR3103TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 0.019Ohm;ID 55A;D-Pak (TO-252AA);PD 107W
Descriptions
Descriptions de Texas Instruments CSD17308Q3 fournies par ses distributeurs.
30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 3 mm x 3 mm, 11.8 mOhm 8-VSON-CLIP -55 to 150
30V 14A 10.3mΩ@8V,10A 2.7W 1.8V@250uA N Channel VSON-CLIP-8(3.3x3.3) MOSFETs ROHS
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
TEXAS INSTRUMENTS - CSD17308Q3 - MOSFET, N CH, 30V, 47A, 8SON
N CHANNEL POWER MOSFET, 30V, 47A, SON-8, FULL REEL
Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 30V, 0.0165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
2.7W(Ta) 10V,8V 1.8V@ 250¦ÌA 5.1nC@ 4.5 V 1N 30V 10.3m¦¸@ 10A,8V 14A,44A 700pF@15V VSON-CLIP-8 3.3mm*3.3mm*1mm
the nexfet power mosfet has been designed to minimize losses in power conversion applications and optimized for 5v gate drive applications.
CSD17308Q3 30V, N CHANNEL NEXFET
Alias du fabricant
Texas Instruments possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Texas Instruments peut également être connu sous les noms suivants :
- TI
- TEXAS
- TEXAS INST
- TEXAS INSTR
- TEXAS INSTRUMENT
- TEXAS INSTRUMENTS INC
- TEXAS INS
- TEXAS INSTRU
- TEXAS INSTRUMEN
- TI/NS
- TEX
- Texas Instruments (TI)
- TEXASIN
- TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
- TEXINS
- TEXAS INTRUMENTS
- TEAXS
- TEXASI
- TEXAS INSTRUM
- TI Texas Instruments
- TEXAS USD
- TEXAS INSRUMENTS
- TEXAS INSRUMENT
- TEXAS INSTUMENTS
- TI-ROHS
- Texas Instr.
- Texas Instruments Inc.
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Spécifications techniques
Physical
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Technical
Continuous Drain Current (ID)14 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance8.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time2.3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)10 V
Input Capacitance700 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.7 W
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.3 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2.7 W
Rds On Max10.3 mΩ
Rise Time5.7 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1.3 V
Turn-Off Delay Time9.9 ns
Turn-On Delay Time4.5 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Length3.3 mm
Thickness1 mm
Width3.3 mm
Conformité
Classification environnementale
Lead FreeContains Lead
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité