STMicroelectronics STPSC6H065B-TR
$ 1.06
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | STPSC6H065B-TR | 4 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | STPSC6H065B-TR | 383 | 1 | |||||||||
| Verical | STPSC6H065B-TR | 12 500 | 2500 | |||||||||
| DigiKey | 497-13171-1-ND | 274 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | STPSC6H065B-TR | 0 | 2500 | Tape & Reel |
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Pièces de rechange
1 composant disponible
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| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
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Pièces de rechange
Ce composant
Pièces de rechange
Price @ 1000
$ 1.06
$ 1.122
Stock
283,200
315,063
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
-
Case/Package
DPAK
-
Forward Voltage
1.75 V
1.65 V
Reverse Voltage (DC)
-
-
Average Rectified Current
6 A
6 A
Max Reverse Leakage Current
60 µA
-
Reverse Recovery Time
0 s
-
Pièces détachées
VishayV15W60C-M3/I
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 7.5A, 60V V(RRM), Silicon, TO-252AA
VishayV15WL45C-M3/I
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 7.5A, 45V V(RRM), Silicon, TO-252AA
VishayVS-50WQ06FN-M3
DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK / Diode Schottky 60 V 5.5A Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
Diodes Inc.MBRD10150CT-13
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 5A, 150V V(RRM), Silicon, TO-252
Diodes Inc.SBR10200CTL-13
Rectifier Diode Super Barrier Rectifier 200V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STPSC6H065B-TR fournies par ses distributeurs.
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 6A, 650V V(RRM), Silicon Carbide
STPSC6H065 Series 650 V 6 A Surface Mount SiC Schottky Diode - DPAK
Rectifier Diode Schottky 650V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
DIODE, SIC, 6A, 650V, DPAK; Product Range: 650V Series; Diode Configuration: Single; Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max: 650V; Continuous Forward Current If: 6A; Total Capacitive Charge Qc: 18nC; Diode Case Style: TO-252; No. of Pins: 3 Pin; Junction Temperature Tj Max: 175°C; Automotive Qualification Standard: -; SVHC: No SVHC (17-Dec-2015); Diode Type: SiC Schottky; Forward Current If(AV): 6A; Forward Surge Current Ifsm Max: 400A; Forward Voltage VF Max: 1.75V; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 175°C; Operating Temperature Min: -40°C; Semiconductor Technology: SiC
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Average Rectified Current6 A
Capacitance300 pF
Element ConfigurationSingle
Forward Current6 A
Forward Voltage1.75 V
Max Forward Surge Current (Ifsm)52 A
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Output Current6 A
Max Repetitive Reverse Voltage (Vrrm)650 V
Max Reverse Leakage Current60 µA
Max Reverse Voltage (DC)650 V
Max Surge Current60 A
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Peak Non-Repetitive Surge Current60 A
Peak Reverse Current60 µA
Reverse Recovery Time0 s
Reverse Standoff Voltage650 V
Schedule B8541100080
Dimensions
Height2.63 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant