STMicroelectronics STP40NF10L
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTP45N10F7
N-channel 100 V, 0.013 Ohm typ., 45 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220 package
onsemiFDP150N10A-F102
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STP40NF10L fournies par ses distributeurs.
N-Channel 100V - 0.028 Ohm - 40A - TO-220 LOW GATE CHARGE StripFET(TM) II POWER MOSFET
Transistor MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin (3+Tab) TO-220 Tube
In a Tube of 50, N-Channel MOSFET, 40 A, 100 V, 3-Pin TO-220 STMicroelectronics STP40NF10L
40 A 100 V 0.036 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-220AB
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 100V, 0.036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N TO-220; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 40A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.028ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 1.7V; Power Dissipation
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight4.535924 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)40 A
Current Rating40 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance36 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time24 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)17 V
Input Capacitance2.3 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
Power Dissipation150 W
Rds On Max33 mΩ
Resistance33 MΩ
Rise Time82 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1.7 V
Turn-Off Delay Time64 ns
Turn-On Delay Time25 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height9.15 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant