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Fiche technique officielleIl y a 2 ans
Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-01-07
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
InfineonIPP147N12N3GXKSA1
107W(Tc) 20V 4V@ 61¦ÌA 49nC@ 10 V 1N 120V 14.7m¦¸@ 56A,10V 56A 3.22nF@60V TO-220 11.17mm
Descriptions
Descriptions de onsemi FQP32N12V2 fournies par ses distributeurs.
MOSFET N-CH 120V 32A TO-220
Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 120V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFETs N_ch/120V/32A
N-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFET, N, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Current, Id Cont:32A; Resistance, Rds On:0.043ohm; Case Style:TO-220 (SOT-78B); Current, Idm Pulse:128A; External Length / Height:4.83mm; No. of Pins:3; Power Dissipation:150W; Power, Pd:150W; Resistance, Rds on Max:0.05ohm; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds Max:120V; Voltage, Vgs th Max:4V; Width, External:10.67mm
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)32 A
Current Rating32 A
Drain to Source Breakdown Voltage120 V
Drain to Source Resistance50 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)120 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time158 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.86 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Breakdown Voltage120 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation150 W
Rds On Max50 mΩ
Rise Time190 ns
Turn-Off Delay Time114 ns
Voltage Rating (DC)120 V
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Fiche technique officielleIl y a 2 ans