STMicroelectronics STP45N10F7
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-05-28
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 2 weeks ago)
LTB Date2026-09-14
LTD Date2027-03-14
Pièces détachées
onsemiFDP150N10A-F102
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STP45N10F7 fournies par ses distributeurs.
N-channel 100 V, 0.013 Ohm typ., 45 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220 package
STP45N10F7 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 45 A, 100 V, 3-PIN TO-220
N-Channel 100 V 0.018 O 25 nC Flange Mount Power Mosfet - TO-220
Trans MOSFET N-CH 100V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 100V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Mosfet, N-Ch, 100V, 45A, To-220; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:45A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4.5V Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STP45N10F7
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight329.988449 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)45 A
Drain to Source Resistance18 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.64 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation60 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation60 W
Rds On Max16 mΩ
Rise Time17 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time24 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height15.75 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant